1.2.5 Способ измерения радиуса режущей кромки по ширине светящейся полосы
Согласно этому способу РК наблюдают с помощью оптического инструментального микроскопа в виде светящейся полоски, ширина которой зависит от радиуса округления ρ. Одним из недостатков этого способа следует выделить его низкую точность, определяемую возможностями применяемого микроскопа, и невозможность измерения радиусов округления РК менее 10 мкм.
Анализ показал, что практически все рассмотренные способы реализуют измерение радиуса округления только в одном каком-либо сечении РК. Вместе с тем, известно [], что радиус округления РК по ее длине изменяется, что особенно заметно для твердых сплавов. В связи с этим большинство из указанных способов могут давать большую погрешность и не позволяют оценить общее состояние РК. Еще больше ограничивает применение этих способов использование оптических систем, для которых увеличение порядка ´1000 является предельным, и что приводит к существенным погрешностям при измерениях r <10 мкм. Следует также отметить ограниченную возможность автоматизации указанных измерений с помощью ЭВМ.
1.3 Краткие сведения о принципе растровой электронной микроскопии
Перспективной альтернативой применению оптических микроскопов для измерения r и оценки качества РК является использование растрового электронного микроскопа. Принцип наблюдения в этом микроскопе основан на облучении исследуемого образца сфокусированным пучком электронов с минимальным диаметром около 10нм, что соответствует предельному разрешению этого способа наблюдения. В каждый момент времени положение этого пучка согласуется с положением точки изображения, выводимой на экран ЭЛТ. В условиях применения детектора Э-Т яркость точки на экране ЭЛТ сильно зависит от угла наклона нормали к поверхности, облучаемой электронным пучком – проявляется т. н. эффект топографического контраста. Известно, что при работе с заземленным образцом этот эффект обусловлен влиянием топографии как на отраженные, так и на вторичные электроны. Установлено, что если плоский образец отклоняется в сторону от нормального положения к падающему пучку на угол , коэффициент отражения постепенно возрастает, достигая единицы при скользящем падении (рис. 1.4). Вместе с этим в режиме вторичной электронной эмиссии сигнал вторичных электронов, или, другими словами, яркость изображения на экране ЭЛТ, пропорционален [], т.е.
Рисунок 1.4 - Формирование сигнала вторичных электронов [] |
, (1.2)
где - угол наклона нормали к поверхности; - яркость изображения.
При этом контраст изображения определяется зависимостью
. (1.3)
При интерпретации результатов важно учитывать, что Э-Т детектор обладает определенной направленностью и на изображении возможно проявление т.н. траекторных эффектов.
Но, несмотря на это топографический контраст в указанных условиях весьма чувствителен к геометрической конфигурации поверхности образца и должен обнаруживать малые изменения локального угла наклона поверхности даже при изменении общего уровня яркости изображения вследствие наклона поверхности в больших масштабах. Следует отметить, что изменение коэффициента отражения электронов часто сказывается значительно меньше, чем изменение сигнала вторичных электронов. В связи с этим при дальнейших объяснениях не будем учитывать наличие отраженных электронов.
Как было показано в предыдущем разделе существующие способы измерения радиуса округления РК и методики их реализации имеют ограниченные возможности, особенно при измерении малых радиусов округления режущих кромок с различным по ее длине качеством обработки. Главными причинами этого являются малая разрешающая способность и глубина фокуса оптических микроскопов, невозможность реализации больших (свыше ´1000) увеличений, наблюдение радиуса только в одном сечении РК, сложность автоматизации измерений. Это не позволяет измерять малые радиусы округления с высокой точностью, во многих точках по длине РК и в короткие сроки.
В этих условиях лучшие результаты дает применение растрового электронного микроскопа для наблюдения РК и измерения ее радиуса. Рассмотрим подробнее способ и методику выполнения измерений.
2.1 Теоретическое обоснование способа измерения радиуса округления режущей кромки
Измерение радиуса округления РК основано на эффекте формирования топографического контраста, описанного в разделе 1.3.
Схема отклонения электронов в РЭМ Рисунок 2.1 - (О.Э. – отраженные электроны, В.Э. – вторичные электроны) |
Предположим, что микрорельеф поверхности РК одинаков в любой ее точке. Тогда согласно формуле (1.1) при сканировании участка РК лучом, перпендикулярным передней поверхности лезвия (рис. 2.1), наличие кривизны поверхности будет проявляться в виде изменения средней яркости изображения микрорельефа этой поверхности. Покажем это. Пусть средняя линии рельефа поверхности РК в некотором ее сечении главной секущей плоскостью описывается уравнением (рис.2.2,а)
а) кромка в произвольном положении; б) ориентация кромки относительно сканирующего пучка Рисунок 2.2 - Сечение режущей кромки главной секущей плоскостью |
. (2.1)
Тогда согласно формуле (1.1)
. (2.2)
Как видно, плоские участки поверхности имеют постоянную яркость, причем яркость наклоненной плоскости больше, чем горизонтальной. На округленном участке яркость изменяется. Ширина такого участка зависит от радиуса округления r, но в общем случае не равна ему по величине. В связи с этим предложено ориентировать РК так, чтобы одна из образующих ее поверхностей была перпендикулярна сканирующему пучку (рис. 2.2, б). Тогда
и . (2.3)
Таким образом, измерение радиуса округления РК основывается на измерении ширины изображения с изменяющейся яркостью на ЭЛТ микроскопа или фотографии. При неправильной установке образца будет возникать систематическая погрешность способа измерения, равная
. (2.4)
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.