Разработка и обоснование схемы базирования (Выбор главной базовой поверхности. Выбор двойной опорной базы)

Практическая работа №3

Тема «Разработка и обоснование схемы базирования»

         1 Выбор главной базовой поверхности

Из всего комплекса поверхностей, образующих заготовку, на базовую поверхность на данной операции может претендовать левый торец детали (см. приложение А). В  его пользу говорят следующие факторы:

- наиболее развит

-  не препятствует доступу инструмента к обрабатываемым поверхностям

При использовании данной поверхности в качестве главной базовой поверхности не соблюдается принцип совмещения баз, т. к. измерительной базой при контроле глубины отверстий является правый торец. Таким образом возникает погрешность базирования глубины отверстий, которая будет равна допуску на размер Т_l9 = 360 мкм. Так как погрешность базирования больше поля допуска на глубину отверстий (Т_l9 > Т_h2; 360>250) то необходимо ужесточить допуск на размер l9 (до квалитета IT12), тогда погрешность базирования будет находиться в пределах поля допуска глубины отверстий (допуск на размер l9 по IT12 составляет 150 мкм): 150<250. С таким ужесточением базировать по данной поверхности можно.

Левый торец заготовки, будучи принятым в качестве главной базовой поверхности, лишает деталь трёх степеней свободы, т.е. является установочной базой.

2 Выбор двойной опорной базы

Функции двойной опорной базы в равной мере могут исполнять наружные цилиндрические поверхности d35 и d29_-0.52 (см. рисунок 1).

Погрешность базирования по первому варианту: Е_Б=Т_d35/2 = 80 мкм, допуск на размер d27 - T_d27/2=650 мкм

Погрешность базирования по второму варианту: Е_Б=Т_d29/2 = 260 мкм.

И в первом и во втором случае погрешность базирования меньше допуска на получаемый размер. Склоняемся к первому варианту как к более точному.

Рисунок 1 - Возможные варианты базирования

Окончательный анализ структуры связей произведём, построив таблицу односторонних связей (таблица 1).

Таблица 1 - Таблица односторонних связей

Индекс связи

X

X/

Y

Y/

Z

Z/

wx

wx/

wy

wy/

wz

wz/

реакция

R

R

R

R

R

R

R

R

R

Из таблицы 1 видно, что на заготовку наложено 9 односторонних связей. Из них 5 (обозначенных R) - полные, и 4 (R)      - неполные, что обусловлено наличием зазора между заготовкой и приспособлением.

Чтобы система стала уравновешенной во время обработки, необходимо лишить заготовку возможности перемещаться по координатам z, w_z^/, w_z