Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры Пфп. Предельные эксплуатационные данные. Допустимое значение статического потенциала

Страницы работы

Содержание работы

о КТЗ17И9

Транз истор   кремниевый эпитаксиально-планарный структуры Пфп. Предназначен для применения в бытовой видеотехнике в составе гибридных микросхем. Выпускается в миниатюрном пластмассовом корпусе, пш корпуса КТ-

46. Масса транзистора не более 0,01 г.

т = +25'С . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  . 0,003 мкА т = +850С . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . .

т = -60'С . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . , . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0,003 мкА Обратный ток эмиттера при U„ = 2 В, не более:

т = +25'С . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0,001 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-база при

 = 10 мкА  35 в

Постоянное напряжение эмиттер-база при 1; = 10 мкА . . . . . . . . . . . . . . . , . 5 В Постоянный тюк коллектора' при Т = —60...+25'С . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500 мА Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: при Т = -60...+25'С . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Температура р-п перехода .  +125'С

Температура окружающей среды . . . . . . . . . . . . . . .. . . .. . . . . . . . . . . . . -60'С...+85•с

При Т = +25...+85'С постоянный ток коллектора определяется из выражения к макс = • 500), мА

Максимальный постоянный ток коллектора соответствует значению статического коэффициента передачи тка h2ts = 20

При Т = +25...+85'С постоянная рассеиваемая мощность коллектора определяетсЯ из выражения

             = (125-0/500, вт

Допустимое значение статического потенциала 500 В.

Транзисторы поставляются с отформованными выводами и перед их монтажом дополнительной подготовки не требуется. При включении транзистора Ё электрическую цепь, находящуюся под напряжением, базовый вывод необходимо присоединять первым и,отключать последним. Работа транзистора в режиме ”оборванной базы“ категорически


запрещается .

Икб=5В

иовоп

4

з

2

• 1

О 10 20 зо 40 Ь, мА Зависимость модуля коэффициента передачи тот на высокой частоте от постоянюго тока коллектора

Типовые выходные характеристики в схеме

Икэнас мВ

Ik/I6=10

200

150

100

О 100 200 ЗОО 400 lk, мА Зависимость напряжения насыщения коллектор—емипер от тока коллектора

О 100 200 ЗОО К, мА Зависимость статического коэффициента передачи тока от постоянного тока коллектора

Похожие материалы

Информация о работе

Предмет:
КР приемники
Тип:
Курсовые работы
Размер файла:
51 Kb
Скачали:
0