Выбираем транзистор VT3 из условия fT > fВ. У транзистора VT3 большая граничная частота, т.к. он включен по схеме с ОБ. Он должен иметь большое допустимое напряжение UКБ. Подходящим транзистором является сборка 2ТС3103А с параметрами:fT = 600 МГц; максимальная мощность рассеиваемая на коллекторе РК = 300 мВт; максимальный ток коллектора Ikm = 20 мА; емкость коллектора СК = 2.5 пФ; постоянная времени цепи обратной связи r’бСК = 80 пс; коэффициент усиления тока h21Э = 40…200.
Вычислим сопротивление базы:
= 
=
= 32 Ом
Из-за большого разброса параметра h21Э, определяем среднегеометрическое:
h21Э = 
Рассчитаем ВЧ коррекцию (см. п2.2: ВЧ коррекция). Искажения вносимые этим каскадом на высокой частоте 1.5 дБ (см. Распределение искажений в усилителе.). Тогда:
MВОК = 
=100.075
= 1.1885
Отнесем эти искажения на выходную цепь:
MC=MВОК
YС = 1 / MC = 1 / 1.1885 = 0.841
где YC - относительное усиление. Выбираем коэффициент коррекции m = 0.414. Для семейства обобщенных характеристик (рис.4.) с учетом YC и m находим XC = 1.33
Определим паразитную емкость:
C0 = CK + CM + CВХ
где СK = 2.5 пФ – емкость коллектора VT3,
СM = 1 пФ – емкость монтажа. Она составляет единицы пикофарад.
СВХ = 2.343 пФ – входная емкость эмиттерного повторителя. Тогда:
C0 = 2.5 + 1 + 2.343 = 5.943 пФ
Из выражения для обобщенной частоты:
XC = ωВRНC0
находим сопротивление нагрузки каскада:
RН=
Ом
Из выражения для коэффициента коррекции m:
m=
находим индуктивность корректирующего дросселя:
L = m
C0 = 0.414∙34002∙5.943∙10-12
= 2.84∙10-5 Гн
Стандартное значение индуктивности: L = 0.27 мкГн. При этом искажения не будут превосходить заданных. При значениях сопротивления нагрузки RН=3.4 кОм и индуктивности дросселя L = 0.27 мкГн каскад будет вносить искажения не больше 1.5 дБ.
Выходное напряжение каскада:
=1.107 В
При расчете амплитуды коллекторного тока можно не учитывать входное сопротивление эмиттерного повторителя, т.к. Rвхэп>>Rн:
= 
мА
Определяем
постоянный ток транзистора VT3
из условия Iok>(1.2-4). Т.к. 4=1.3мА, то выбираем
= 1 мА
Базовый ток VT3:
= 
мкА
Выбираем транзисторы VT1 и VT2 из условия fT>(20–50)fВ. Выбираем сборку 2ТС398А-1 c параметрами: fT = 1000 МГц; максимальная мощность рассеиваемая на коллекторе РК=30мВт; максимальный ток коллектора Ikm = 10 мА; емкость коллектора СК = 1.5 пФ; постоянная времени цепи обратной связи r’бСК = 50 пс; коэффициент усиления тока h21Э=40…250; максимальное напряжение Uкэ = 10 В.
Вычислим сопротивление базы: r’б = 33.3 Ом
Из-за большого разброса параметра h21Э, определяем среднегеометрическое: h21Э = 100
Находим ток ГСТ. Он равен двойному току коллектора:
I0 = 2∙ =
2 мА
Определяем сопротивление эмиттерного перехода:
rэ = 
Ом
Рассчитаем крутизну дифференциального каскада.
= 
Здесь 
= 2.5 кОм – выходное
сопротивление входного каскада, предварительный расчет показал, что оно примерно
2.5 кОм.
Тогда коэффициент усиления каскада (см. п.2.3. Несимметричный дифференциальный усилитель):
K = 0.5∙S∙RН = 0.5∙0.0195∙3400 = 33.117
Входное сопротивление каскада есть входное сопротивление транзистора VT1 (включен по схеме ОК), нагрузкой которого является транзистор VT2 (включен по схеме ОБ):
Rвх = rб + (rЭ + rЭ)(1 + h21Э) = rб + 2rЭ(1 + h21Э) = 33.3 + 2∙26∙101 = 5285 Ом
Входная емкость складывается из емкости коллектора и диффузионной емкости транзистора VT1:
Ф
Оценим граничную частоту крутизны рассчитанного каскада. fS определяется граничной частотой VT1, т.к. граничная частота VT2 больше чем у VT1:
МГц
Как мы видим граничная частота крутизны каскада больше чем верхняя частота: fS>fВ. Т.о. искажения рассчитанного каскада не превосходят заданных.
Схема имеет симметричное питание. Максимальное допустимое напряжение транзисторов VT1 и VT2 10 В. На основе этого выбираем напряжение питания E = 6 В
Выбираем стабилитрон VD – КС147А. Задаем его режим: Uст = 4.7 В, Iст = 5 мА.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.