РИС.5. транзистора VT2. Эта частота выше граничной частоты каскада с ОК на VT1, поэтому граничную частоту каскада с OK fS в расчетах можно считать граничной частотой всей схемы. Но изменится и коэффициент усиления. Выходное сопротивление каскада с ОК (VT1) при низкоомном управлении равно 1/S, и входное сопротивление схемы с OБ (VT2) составит 1/S. Поскольку ток покоя обоих транзисторов одинаков, их крутизна также будет одинакова и равна S. Отсюда следует, что эти сопротивления равны. Падение напряжения на эмиттере транзистора VT2 с учетом последнего соотношения сопротивлений составляет половину входного переменного напряжения. Следовательно, коэффициент усиления по напряжению
К=1/2SRN.
Хотя коэффициент усиления каскада с эмиттерной связью равен половине коэффициента усиления каскада с ОЭ, ширина полосы пропускания по уровню 3 дБ значительно превышает удвоенною полосу каскада с ОЭ. Усилительный каскад с эмиттерной связью обладает очень высокой стабильностью смешения благодаря обратной связи, которая обеспечивается источником тока I0. Поэтому этот каскад очень хорошо подходит для использования в схемах с непосредственной связью и его можно применять в качестве строительного блока при проектировании многокаскадных широкополосных усилителей и ограничительных устройств.
Низкая граничная частота дифференциального каскада обусловлена большой входной емкостью:
СВХ = СД+СКК
где СД – диффузионная емкость,
СКК – емкость обратной связи (емкость Миллера)
Понизив эту емкость можно повысить граничную частоту. Это можно сделать с помощью применения каскодной схемы.
В схеме рис.6., известной как каскодное включение (ОЭ-ОБ), входной
транзистор VT1 включен по схеме с общим эмиттером, а
выходной транзистор VT2 - по схеме с общей базой с токовым
управлением. Поскольку транзистор VT2 обладает малым
выходным сопротивлением, равным РИС.6.
1/S, коэффициент усиления входного каскада (VT1) по напряжению К1=SRВХ=S(1/S)=1. Благодаря этому
эффект Миллера (СКК) отсутствует. Поскольку коллекторные токи транзисторов
равны, общий коэффициент усиления схемы составляет
К=К1К2=S(1/S)SRN=SRN, как и для обычной схемы с ОЭ. Транзистор VT2 не влияет на граничную частоту крутизны схемы, поскольку ему вследствие токового управления в схеме с ОБ присуща высокая граничная частота fα.
На рис.7. приведена схема широкополосного ДУ с каскодной схемой.
Потенциал базы UБ транзисторов VT2 и VТ4 определяет потенциал коллекторов транзисторов VT1 и VT3, причем
UK=UБ-UБЭ
Его величину выбирают такой, чтобы напряжение коллектор-эмиттер UK превышало несколько вольт, и зависящая от напряжения емкость коллектора СК транзисторов VT1 и VT3 была минимальной.
Дифференциальный коэффициент усиления каскада равен
KД=SRN.
Использование простой ВЧ коррекции позволяет расширить полосу пропускания выходной цепи и снизить токовую нагрузку в оконечных каскадах.
Выходные транзисторы VТ2 и VТ4 должны иметь большое
РИС.7 значение допустимого напряжения коллектор-база UКБ. Они имеют, как правило, граничную частоту не более fT<<100 МГц, что не позволяет реализовать широкополосные выходные каскады по простой схеме ДУ. В каскодной схеме транзисторы VT2 и VT4 не влияют на граничную частоту крутизны, т.к. работают в схеме с общей базой в режиме усиления тока, которому присуща высокая граничная частота fα=fT>>fS.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.