В качестве ГСТ будем использовать зеркало тока (РИС.11.). Сопротивление
транзистора VT2 со стороны коллектора составляет сотни
килоом, а падение напряжения на транзисторе – несколько вольт. Поэтому этот
каскад часто используется в качестве ГСТ.
В данной работе необходимо реализовать усиление по напряжению К = 1200. Реализовать это усиление в одном каскаде невозможно, приходится прибегать к многокаскадной схеме. Такое усиление можно получить в схеме с двумя дифференциальными каскадами, отведя на каждый каскад усиление в 35 раз. При этом первый дифференциальный каскад будет играть роль входного, а второй – предоконечного каскада. Коэффициент передачи эмиттерного повторителя меньше единицы, поэтому эмиттерный повторитель не считаем усилительным каскадом. Таким образом в проектируемом усилителе три каскада: эмиттерный повторитель и два дифференциальных каскада.
На высоких частотах усиление будет падать, т.е. возникают искажения. Они обусловлены влиянием паразитной емкости транзисторов. Задана верхняя частота fВ = 10,5 МГц и искажения на ней MВ = 3 дБ. Считаем, что эмиттерный повторитель не вносит искажений (из-за наличия внутренней отрицательной обратной связи). Таким образом необходимо распределить искажения между двумя дифференциальными каскадами. Проще всего искажения распределить поровну.
Распределяем искажения следующим образом:
Предоконечный каскад – 1,5 дБ
Входной каскад – 1,5 дБ
На низких частотах искажения обусловлены влиянием разделительного конденсатора СР. Варьируя его значения можно изменять нижнюю граничную частоту. Для заданной нижней частоты (fН = 50 Гц) и заданных искажений (МН = 3 дБ), величину разделительного конденсатора вычисляют по формуле (при условии, что СР стоит на входе усилителя):
где fН – нижняя граничная частота;
MН – искажения на нижней частоте;
RГ – сопротивление источника сигнала;
RВХ – входное сопротивление входного каскада.
Схема эмиттерного повторителя представлена на рис.12.
Определяем максимальный ток коллектора, который надо получить:
=
=
3 мА
Определяем постоянный ток:
I0 = 1.2 =
1.2 ∙ 3∙10-3 = 3.6 мА
Выбираем транзистор VT1. Необходимо, что бы частота единичного усиления (fT) транзистора была больше в 20-50 раз, чем верхняя частота (fВ). Подходящим является транзистор КТ363А c параметрами: fT=1200 МГц; максимальная мощность рассеиваемая на коллекторе РК = 150 мВт; максимальный ток коллектора Ikm = 30 мА; емкость коллектора СК = 2 пФ; постоянная времени цепи обратной связи r’бСК = 50 пс; коэффициент усиления тока h21Э = 20…120.
Вычислим сопротивление базы:
=
=
= 25 Ом
Из-за большого разброса параметра h21Э, определяем среднегеометрическое:
h21Э =
Определяем сопротивление эмиттерного перехода:
Ом
где - тепловой
потенциал.
Вычислим сквозную крутизну:
=
Здесь - пересчитанное во входную
цепь сопротивление базы и выходное сопротивление предоконечного каскада.
= 3 кОм – выходное сопротивление предоконечного каскада, предварительный
расчет показал, что оно примерно 3 кОм.
Теперь можем посчитать коэффициент передачи эмиттерного повторителя:
Как мы видим KЭП меньше единицы.
Входное сопротивление складывается из сопротивления базы и пересчитанных с коэффициентом 1+h21Э сопротивления rЭ и ρ:
Ом.
Входная емкость складывается из емкости коллектора и диффузионной емкости:
Ф
Основные параметры эмиттерного повторителя:
Постоянный ток коллектора I0 = 3.6 мА
Коэффициент передачи KЭП = 0.813
Входное сопротивление RВХ = 15.386 кОм
Входная емкость СВХ = 2.434 пФ
|
Схема предоконечного каскада вместе с эмиттерным повторителем приведена на рис.13.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.