Схема дифференциального каскада приведена на рис.2. Схему каскада можно разделить осью симметрии на два плеча (полусхемы), в каждом плече транзисторы включены по схеме с общин эмиттером и обеспечивают относительно земли следующие выходные напряжения:
UК1 = -1/2U1SRN и UK2 = 1/2U2SRN
где S - крутизна транзисторов в рабочей точке, определяемая как
S = IЭ/φТ = I0/2φT.
Между коллекторами транзисторов VTI и VT2 наблюдается напряжение дифференциального сигнала
UВЫХ = -UК1 + UК2 = (U1 + U2)SRN = UДSRN
Значение коэффициента усиления каскада
РИС.2. К = UВЫХ/UД = SRN = RNI0/2φТ
и соответствует
коэффициенту усиления обычного каскада с общим эмиттером. На рис.3. показана
малосигнальная схема входной цепи дифференциального каскада, нагружающей
источник дифференциального сигнала. Поскольку эмиттерный ток каждого
транзистора в (1 + h21Э)
превышает базовый, то сопротивление генератора стабильного тока R0 пересчитывается в контур входного тока с
этим коэффициентом. Так как R0 велико, то в эту ветвь ток от источника сигнала не стекает.
Следовательно, входное РИС.3. дифференциальное
сопротивление ДУ между его входами будет равно удвоенному значению входного
сопротивления транзистора в схеме с общим эмиттером: RВХД = 2RВХЭ = 2rЭ(1+h21Э)
Один из способов повышения граничной частоты состоит в повышении полного коллекторного сопротивления вблизи граничной частоты каскада за счет включения последовательно с коллекторным сопротивлением индуктивности. Этот способ получил, название простой высокочастотной (ВЧ) коррекции. Расчет простой ВЧ коррекции проводится с помощью семейства нормированных частотных характеристик, приведенных на рис.4. Параметром, определяющим форму характеристик, является коэффициент ВЧ коррекции m, представляющий собой квадрат добротности колебательного контура:
m=L/RN2 C0.
РИС.4.
По вертикальной оси отложено относительное усиление YС =1/МВ, по горизонтальной - обобщенная частота ХС = ωВRNC0. Частотная характеристика, соответствующая m=0, относится к каскаду без коррекции.
Наилучшая форма частотной характеристики соответствует значению m=0,414 (Рис.4.). При больших значениях коэффициента коррекции увеличивается неравномерность частотной характеристики. Относительное увеличение площади усиления при m=0,414 составляет 1,67 раза. На уровне, отличном от YC=0.707, относительное увеличение высшей частоты также отличается от 1.67 и может быть определено по обобщенной характеристике. Например, при заданных частотных искажениях МВ=1.1 (YC=0,9) введение простой ВЧ коррекции позволяет увеличить fГР примерно в 2,5 раза.
На высоких частотах схема несимметричного дифференциального каскада или
схема с эмиттерной связью (рис. 5) обладает значительными преимуществами по
сравнению с каскадом с ОЭ.
Отличием этого каскада от дифференциального является то, что входной сигнал подается только на одиночный вход, а сопротивление нагрузки в цепи коллектора транзистора VT1 отсутствует. Транзистор VT2 включен по схеме с общей базой в режиме управления напряжением. Граничной частотой этого каскада является частота
fS = 0.16 / (Rвых + r'б)СВХОБ, где RВЫХ = ri / h21Э + 1/S – выходное сопротивление транзистора VТ1, включенного по схеме с ОК,
СВХОБ = СД = 0.16 / fT rЭ – входная емкость
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.