Микросхемы flash-памяти фирмы Intel. Элементы памяти типа FLASH-файл, страница 6

- низкая степень автоматизации стирания/программирования;

- наличие регистра команды;

- выполнение команды за один, два или три цикла шины;

- отсутствие регистра состояния;

- программирование/стирание только при высоком напряжении +12 В на контакте питания Vpp.

В следующих группах микросхем рассмотренные алгоритмы стирания и программирования реализуются в основном встроенным в БИС автоматом.

Элементы типа BOOT-BLOCK применяются в качестве микросхем BIOS в персональных ЭВМ. Они позволяют объединить BIOS, который теперь может быть обновлен "прямо с дискеты", ОЗУ с неотключаемым питанием, где хранятся параметры компьютера, и часть операционной системы, загрузочный код которой может быть защищен от несанкционированного изменения или случайного стирания. Устройство FLASH-памяти таково, что содержимое памяти нельзя стереть не подав на специальный вход уровень напряжения программирования (12 В). Это и позволяет предохранить являющуюся ценной информацию от случайного или преднамеренного стирания. Возможность электрического перепрограммирования FLASH-памяти существенно облегчает процесс модернизации (Upgrade) микросхем BIOS на более новые версии.

Элементы памяти типа FLASH-файл используются для хранения данных большого объема в FLASH-картах — альтернативе жестким дискам. Так как объемы производства FLASH неуклонно растут, в будущем можно надеяться на то, что FLASH-память заменит жесткие диски во многих областях применения. В качестве примера можно привести системы, подвергающиеся сильным механи

ческим воздействиям — таким, при которых жесткие диски неприменимы или быстро выходят из строя, а также применение FLASH-карт в портативных персональных ЭВМ типа Notebook и т.д. По времени доступа FLASH-память значительно выигрывает по сравнению с ЖД. FLASH быстрее ЖД в 125...250 раз, но пока уступает по объему. Объем выпускаемых в настоящее время FLASH-карт или так называемых "твердотельных дисков" не превосходит 40 Мб. Выпускаемые в настоящее время микросхемы типа FLASH-FILE допускают два режима питания —ЗВи5В.

Суммируя все рассмотренное выше, можно отметить основные преимущества использования FLASH-памяти:

- энергонезависимость. По сравнению со статическим ОЗУ не требуется источник питания для обеспечения сохранения данных. По сравнению с динамическим ОЗУ не требуется жесткий диск для хранения программ и данных;

- высокая плотность размещения запоминающих элементов на кристалле при низкой цене. По стоимости одного бита информации FLASH-память ф.Intel стоит почти столько же, сколько динамическое ОЗУ, и в четыре раза дешевле статического ОЗУ. Использование FLASH-памя-ти во все большем количестве областей и как следствие — рост объемов ее производства позволят FLASH-памяти в ближайшем будущем соревноваться на рынке с жесткими дисками в портативных персональных компьютерах типа Notebook, Palmtop и т.д.;

- интегральное исполнение. Благодаря полупроводниковой технологии FLASH-память потребляет значительно меньше энергии, имеет гораздо меньшие размеры, легче, надежнее и устойчивее к механическим воздействиям, чем накопители на жестких дисках;

- возможность прямого выполнения программного кода. Может исключаться стадия перекачивания кода программы в динамическое ОЗУ для выполнения.

По всем вопросам, связанным с применением и приобретением описанных микросхем, можно обращаться в 000 "ЭФО" по тел. (812) 247-89-00, 247-81-58, тел./факс 247-53-40.