|
|
имеет место дополнительное по отношению к активному режиму потребление, главным образом, по цепи +12 В. Элементы второй и третьей групп могут устанавливаться в режим микропотребления (Powerdown). В данном режиме ток потребления от источников 5 В и 12В находится на уровне долей микроампера.
Приведенные в табл.1 цифровые данные дают общую характеристику микросхем. Значительный диапазон для ряда параметров связан с их изменением в процессе работы. По
мере выработки ресурса по циклам стирания/записи изменяется структура окисла между плавающим затвором и полупроводником. В результате запись/стирание начинают выполняться за большее число циклов и затраты времени на эти операции могут возрасти в несколько раз.
Рассмотрим подробно микросхему 28F020, блок-схема которой приведена на рисунке.
При отсутствии напряжения 12 В на контакте Vpp БИС допускается только чтение. Сигналами на внешних контактах управления микросхемы обеспечиваются чтение накопителя, чтение идентификаторов, режим ожидания. Эти же действия возможны и при высоком напряжении на Vpp. Дополнительно при Vpp= 12B обеспечиваются стирание массива и программирование байта. Все действия осуществляются с помощью регистра команды. Команда принимается от ведущего устройства по шине данных; запись в регистр выполняется с использованием стандартной для микропроцессоров временной диаграммы записи. Содержимое ре-
гистра служит входом для автомата записи. На рисунке этот узел включен в состав "Переключателя цепей программирования/стирания". В цикле записи в соответствующих регистрах фиксируются адрес и данные, нужные для записи.
Стирание и программирование заканчиваются подачей извне соответствующей команды верификации. Стоп-тай-мер прекращает стирание/программирование, если после определенного промежутка времени не поступила команда верификации. При этом устройство входит в неактивное состояние и остается в нем до приема команды верификации или начальной установки.
Ввод и вывод данных осуществляются по сигналам на контактах СЕ# (разрешение микросхемы), ОЕ# (разрешение вывода) и WE# (запись). В некоторых случаях используются определенным образом адресные входы АО и А9. Варианты операций на шине показаны в табл.2.
При высоком уровне напряжения на контакте СЁ# микросхема всегда находится в состоянии ожидания (standby), для которого характерно пониженное энергопотребление. Если на контакт Vpp не подано высокое напряжение (12 В), регистр команды всегда настроен только на организацию чтения данных из микросхемы и не воспринимает команды из шины данных. Только в этом случае можно прямым воздействием на управляющие входы прочитать идентификаторы производителя и устройства. Для этого нужно на адресный вход А9 подать высокое напряжение +12 В, а затем установить низкий уровень сигнала на входах СЕ# и ОЕ#. Имеется другой, более удобный способ чтения идентификаторов — с помощью команды чтения идентификаторов, который будет рассмотрен ниже.
Если на контакт Vpp подано напряжение стирания/программирования 12 В, в работу включается регистр команды. Код команды передается в регистр команды по шине данных в цикле записи. Регистр команды не имеет предопределенного адреса в адресном пространстве центрального процессора. Запись осуществляется переводом WE# в низкий уровень при'СЕ#=0.
Адреса записи/верификации фиксируются на спаде WE#, a данные для записи фиксируются на фронте импульса WE#.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.
