Микросхемы flash-памяти фирмы Intel. Элементы памяти типа FLASH-файл, страница 5

После инициализации верификации программирования

Табл.2

Vid = 12 В — высокое напряжение Х — 1 или О

процесс программирования в БИС прекращается. Перед чтением данных верификации должна быть программными средствами выполнена задержка 6 мкс. При неудачном программировании делается следующая попытка. Максимальное число попыток- программирования — 25; затем происходит отказ от программирования.

Стирание начинается с чтения содержимого памяти. Если все байты имеют значение FFH, значит микросхема стерта; в таком состоянии она поставляется. Стирание осуществляется с положения, когда все байты массива памяти имеют состояние ООН. Поэтому сначала производится программирование всех битов в состояние "О". Это выполняется с использованием алгоритма программирования короткими импульсами приблизительно за 4 с. Затем подается команда стирания двумя циклами записи в регистр команды кода 20Н. Длительность процесса стирания программными средствами должна устанавливаться 10 мс. Попытка стирания заканчивается по команде "верификация стирания". Затем после задержки 6 мкс производится чтение проверяемого байта. Верификация начинается с адреса 0000 и выполняется последовательно для всех байтов массива, пока не будут получены данные, отличающиеся от FF (все единицы). Затем делается следующая попытка стирания. Верификация теперь начинается с последнего проверенного байта. Собственно стирание без учета программирования битов в нулевое состояние занимает примерно 3 с.

При включении питания безразлично, какое напряжение, Vcc или Vpp, подключается первым. После включения питания микросхема устанавливается в режим "чтение памяти".

Заканчивая, отметим основные особенности микросхемы 28F020:

- стирание всего массива одновременно;

- запись только байтами;