Микросхемы flash-памяти фирмы Intel. Элементы памяти типа FLASH-файл, страница 2

Микросхемы 28F016, 28F032 работают либо при напряжении +5 В. либо при напряжении +3,3 В; уровень рабочего напряжения устанавливается по уровню напряжения на одном из контактов БИС.

Количество циклов стирания/записи сосгавляет 100 000. Для новейших элементов памяти 28F016 и 28F032 используются технология и алгоритмы стирания/записи, позволяющие на порядок увеличить эту характеристику.

Минимальное время чтения байта/слова обычно не превышает 100 не и всегда имеет существенно большее значение для элементов, работающих при напряжении 3.3 В.

Каждая микросхема имеет определенный код (идентификатор) производителя и код устройства. Предусмотрены процедуры, позволяющие ведущему устройству прочитать эти идентификаторы. Код производителя всегда 89Н. а код устройства записи зависит от типа микросхемы и указан в табл.1.

Потребление микросхем существенно зависит от режима работы. Если к устройству не производится обращение, оно находится в ждущем режиме (Standby). Основная часть внутренних цепей в этом режиме отключена и потребление значительно ниже, чем в активном режиме, например при чтении информации от устройства. При стирании (и записи)


Табл.1

Обозначение

Емкость, бит

Организация

Корпус/ число выводов

Идентификатор изготовителя устройства

Число циклов стирания/ записи блока

Цикл чтения,

НС

Цикл записи

мне

Стирани блока, с

Ток Icc/lpp (5B/12B)

Стирание мА

Активный режим, мА

Жцущий режим, мА

Режим микропотребления, мкА

28F032SA

2Мх16 4Мх8

64 блока по 64 К

TSOP/5C

1000000

70

6

0,6

28F016SA

1Мх16 2Мх8

32 блока по 64 К

TSOP/56

0089/66АОН 89/АОН

1000000

70-150

6

0,6

18/5,0

50/0,065

2,0/0,001

1,0/0,2

28F008SA (L)

1Мх8

16 блоков по 64 К

PSOP/4 TSOP/40

89/А2Н

100000

85-200

9

1,6

10/10

25/0,09

1,0/0,09

0,2/0,1

28F400BX-T/

28F004BX-T/ (L) -

512Кх8 256Кх16 512Кх8

1х16К 2х8К 1х96К Зх128К

PSOP/4 TSOP/56 TSOP/44

Т:89/4470Н В:89/4471Н Т:89/78Н В:89/79Н

100000

60-150

9

1,0 [2,4]

15/12

25/0,1

0,05/0,1

0,2/0,07

28F200BX-T/

28F002BX-T/ (L)

256Кх8 128Кх16 256Кх8

1х16К 2х8К 1х96К 1х128К

PSOP/4 TSOP/56 TSOP/44

Т:89/2274Н В:89/2275Н Т:89/7СН B:89/7DH

100000

60-150

9

2,0 [3,4]

15/12

25/0,1

0,05/0,1

0,2/0,07

28F001BX-T/

128Кх8

1х8К 2х4К 1х112К

PDIP/32 PLCC/32 TSOP/32

Т:89/94Н В:89/95Н

100000

120-15

18

2,1 [3,8]

6,0/6,0

13,0

1,2/0,09

0,05/0,8

28F020

256Кх8

1х256К

PDIP/32 PLCC/32 TSOP/32

89/BDH

100000

70-150

16,5

6,8

5,0/10,0

10,0/0,09

0,3/0,09

28F010

128Кх8

1х128К

PDIP/32 PLCC/32 TSOP/32

89/В4Н

100000

65-150

16,5

3,9

5,0/6,0

10,0/0,09

0,3/0,09

28F512

64Кх8

1х64К

PDIP/32 PLCC/32

89/В8Н

100000

120-15

16,5

2,4

5,0/4,0

10,0/0,09

0,3/0,09

28F256

32Кх8

1х32К

PDIP/32 PLCC/32

89/В9Н

100000

120-15

16,5

1,6

5,0/4,0

10,0/0,09

0,3/