Проектирования радиосвязных и радиовещательных приемных устройств индивидуального пользования, страница 10

в заданном интервале изменения входных сигналов амплитудная характеристика УРЧ должна быть достаточно линейной, чтобы побочные продукты, порождаемые сигналами соседних каналов, не превышали допустимого уровня;

система селекции УРЧ совместно с входной цепью должна обеспечить подавление интермодуляционных и зеркальных помех.

Транзисторы для УРЧ выбирают исходя из следующих условий:

fY21≥3fmax - для однотранзисторного каскада,

fY21≥2fmax- для каскодного УРЧ, где fY21 – граничная частота транзистора по крутизне,

fmax- максимальная рабочая частота УРЧ.

Когда требуется получить большой коэффициент усиления, УРЧ целесообразно строить по каскодной схеме (схема ОЭ-ОБ), так как эта схема наиболее устойчива. Максимальный коэффициент устойчивого усиления однотранзисторного УРЧ

Куст≈0,45(│Y21│/│Y12│)0,5, а для каскодной схемы

Куст≈0,45│Y21│/ (│Y12│/│Y22 + Y12│)0,5, где Y- параметры рассчитываются применительно к конкретной схеме включения транзисторов.

Рассмотрим пример расчета каскодного УРЧ, принципиальная схема которого приведена на Рис.2.8.(на схеме проставлены номера узлов, которые требуются для проведения схемотехнического моделирования).

Ср

Рис.2.8.

Исходные данные для расчёта усилителя [1].

- напряжение питания,

- напряжение коллектор-эмиттер транзисторов,

- ток коллектора в отсутствие сигнала,

Iкб0 =1мкА - обратный ток коллектора при нормальной температуре 20°С,  - входная проводимость каждого транзистора,

÷Y21э÷ = 80 мСм – модуль прямой проводимости транзистора,

gвых = g12э = 0,8мСм - проводимость, подключаемая к контуру со стороны транзистора, при каскодной схеме УРЧ,

÷Y12э÷ = 1мСм – модуль обратной проводимости транзистора,

÷Y22э÷ = 2мСм - модуль выходной проводимости транзистора,

(-40…+60)°С - диапазон рабочих температур,

Ccх= 17 пФ - минимальная эквивалентная емкость контура,

 - сопротивление источника сигнала,

( gн= 8,4∙10-4См) – сопротивление (проводимость) нагрузки.

dэк=0,015 – эквивалентное затухание контура,

d = 0,002 – собственное затухание контура

 - коэффициент связи между катушками.

Расчет проводится для наивысшей частоты диапазона f=74 МГц.

Расчет каскада по постоянному току.

Определяем изменение обратного тока коллектора (для кремниевых транзисторов):

ΔIкб0 = Iкб0 20,2(ТmaxT0) =1∙10-6 ∙20,2(333-293) = 256∙10-6 А, где Тmax=60 + 273=333 - максимальная абсолютная температура, T0 = 20 + 273 = 293 – абсолютная нормальная температура.

Определяем тепловое смещение напряжения базы.

ΔUЭб=γ(Тmax - Тmin)=1,8∙(333-233)=180мВ, где γ=1,8мкВ/°К, Тmin =273-40 = 233°К,– минимальная абсолютная температура.

Нестабильность коллекторного тока

ΔIк= Iкmax - Тmin) / T0=3(333-233)/293=1мА

Найдём величину эмиттерного сопротивления

Rэ=[ΔUЭб+(10…20) ΔIкб0 /g11]/ ΔIк =

= [180∙10-3 + (10…20) 256∙10-6 /1,277∙10-3]/1∙10-3 = (2180…4180) Ом = =2,2кОм.

Суммарное сопротивление резисторов делителя напряжения в цепи базы.

=

= (10…20) 12/(2,2∙103 ∙3∙10-3 ∙1,277∙10-3)=(14,2…28,4) кОм=28 кОм.

Определяем сопротивления базового делителя напряжения:

=28∙2,2∙3/12=15,4кОм,

=28∙2,7/12=6,3кОм,

=28-15,4-6,3=6,3кОм.

Определяем емкости конденсаторов.

.

Расчет каскада по переменному току.

Определяем  значение индуктивности контура.

Выбираем коэффициент включения транзистора в контур m1=0,2…1 = 0,2.

Определяем коэффициент включения нагрузки в контур, обеспечивающий подавление зеркальной помехи не меньше заданного уровня.

m2 ≤ [(((dэк-d)/2πfLк) - m12×gвых)/gн]0,5=[(((0,015 – 0,002)/(2π×74×106×0,272×10-6)) - 0,22×0,8×10-3)/×4,4∙10-5]0,5 = 0,29.

Определяем коэффициент усиления УРЧ

K≈÷Y21э÷×m1×m2×2πfLк/ dэк = 80×10-3×0,2×0,29×2π×74×106×0,272×10-6/0,015=39,1.

Для получения наибольшего усиления при сохранении заданной степени фильтрации можно определить оптимальные значения m1× и m2 :

m01 = [(D-1)×gк /(2 gвых)]0,5,

m02 = [(D-1)×gк /(2 gн)]0,5,