Источники питания генераторов плазмы, страница 23

                      (2.8-9.44.)

где  - напряжение на вторичной обмотке с числом витков ωII, при идеальном трансформаторе; uL - напряжение на эквивалентном ненасыщенном дросселе; uL.НС - напряжение на эквивалентном насыщенном дросселе; UIII - напряжение, компенсирующее подъем кривой напряжения u = φ(А·n) на обмотке ωII.

На основании (2.8-9.44.) построены эквивалентная схема на рисунке 1.9.e и кривые напряжений, поясняющие ее работу (см. рисунок 1.9.з).

Отметим, что в обеих рассмотренных конструкциях нет явно выраженных дросселей L (рисунок 1.9.в) или Lg (рисунок 1.9.г), но размещение обмоток на сердечнике соответствующей конфигурации обеспечивает получение в нужных точках такого напряжения, как при наличии в схеме дросселя.

Рассмотренные стабилизаторы просты, надежны в работе и удобны в эксплуатации. Срок их службы практически не ограничен. Инерционность порядка нескольких периодов питающего напряжения. Однако они имеют ряд недостатков. Выходное напряжение таких стабилизаторов существенно зависит от частоты, величины и характера нагрузочного сопротивления. Вследствие работы сердечника в области насыщения, форма кривой выходного напряжения искажена и отличается от синусоидальной. По этой же причине велик намагничивающий ток, необходимый для достижения пологой части кривой В = f(Н). Насыщение сердечника способствует появлению внешних переменных магнитных полей рассеяния, которые могут нарушить нормальную работу спецаппаратуры. Стабилизаторы обладают малым коэффициентом мощности. Для их изготовления требуется большое количество стали и обмоточного провода.

П.1.5.2. Феррорезонансные стабилизаторы напряжения

Для стабилизации напряжения широко применяются электромагнитные стабилизаторы с конденсаторами. В этих стабилизаторах используется феррорезонанс токов или напряжений и поэтому их называют феррорезонансными.

Рассмотрим вольтамперные характеристики нелинейных реактивных звеньев последовательного (рисунок 1.10.а) и параллельного (рисунок 1.10.г) типов, составляющих основу феррорезонансных стабилизаторов напряжения.

При малых контурных токах (рисунок 1.10.а) дроссель LH.C, работая на линейном участке кривой намагничивания (с большой магнитной проницаемостью), представляет собой большое сопротивление и поэтому ток имеет индуктивный характер. По мере роста тока дроссель переходит в режим насыщения и его индуктивное сопротивление падает. В точке 1 (рисунок 1.10.б) наступает явление феррорезонанса напряжений и напряжение на идеальном контуре (без потерь) UK = ULH.C - UС = 0. При токах, превышающих резонансный, емкостное сопротивление превышает все уменьшающееся индуктивное и общее сопротивление контура, имеет емкостный характер. Так как в режиме насыщения напряжение ULH.C мало изменяется, то кривая напряжения UK, равного разности UС и ULH.C, на контуре будет располагаться почти параллельно линии UС (рисунок 1.10.б).


На рисунке 1.10.д приведены вольтамперные характеристики нелинейного реактивного звена параллельного типа. Здесь, как и для звена последовательного типа, до насыщения сердечника дросселя последний представляет большое сопротивление и поэтому емкостный ток больше индуктивного. По мере насыщения сердечника сопротивление дросселя падает и становится равным сопротивлению конденсатора; наступает феррорезонанс токов (точка 1). Ток в общей цепи IΣ для идеального контура при резонансе равен нулю. При дальнейшем росте тока через дроссель ILH.C сердечник практически насыщается, сопротивление дросселя значительно уменьшается и ток IΣ почти целиком определяется током ILH.C. Контур для внешней цепи представляет индуктивное сопротивление. Зависимость UK =f(IΣ) такова, что изменение тока IΣ в больших пределах вызывает незначительные изменения напряжения UK. Если включить такой ферроконтур последовательно с линейным балластным дросселем Lб (рисунок 1.10.е), то большие изменения UВХ вызовут большие изменения как тока IΣ, так и напряжения на балластном дросселе, но напряжение UK, оно же выходное UВЫХ, будет почти неизменным. Как ясно из рисунка 1.10.д, при увеличении емкости С линия тока IΣ пойдет более полого, что приведет к повышению коэффициента стабилизации и увеличению участка стабилизации (токи IC и IΣ), при увеличенной емкости показаны штрихом). Вольтамперная характеристика контура для абсолютных значений тока разместится в одном квадранте (кривая 1 на рисунке 1.10.ж).