Исследование характеристик биполярных транзисторов

Лабораторная работа № 3

ИССЛЕДОВАНИЕ  ХАРАКТЕРИСТИК  БИПОЛЯРНЫХ

ТРАНЗИСТОРОВ

1.ЦЕЛЬ РАБОТЫ

1.Ознакомиться с характеристиками и параметрами полупроводниковых триодов.

2. ПОДГОТОВКА К РАБОТЕ

1.Изучить по конспекту лекций и рекомендуемой литературе следующие вопросы:

а) нарисовать энергетические диаграммы р-n-р и n-р-n транзисторов;

б) показать, какие изменения происходят на энергетических диаграммах р-n-р и n-р-n транзисторов при включении эмиттерного и коллекторного переходов в прямом и обратном направлении соответственно;

в) показать, из каких компонентов состоит ток через эмиттерный переход;

г) объяснить, что такое коэффициент инжекции и почему он должен быть возможно более близок к 1;

д) каково должно быть соотношение между удельным сопротивлением эмиттера и коллектора, чтобы коэффициент инжекции был близок к 1;

е) какие процессы в базе характеризуются коэффициентом переноса?

ж) от каких параметров базы зависит величина коэффициента переноса?

з) из каких компонентов состоит ток базы?

и) почему изменяется толщина базы при изменении коллекторного напряжения и к каким последствиям приводит это явление?

к) из каких компонентов состоит ток через коллекторный переход?

л) что такое коэффициент лавинного размножения М? в каких типах транзисторов М=1 и в каких М>1?

м) нарисовать основные характеристики транзисторов при включении с общей базой;

н) нарисовать основные характеристики транзисторов при включении с общим эмиттером;

о) рассказать об устройстве плоскостных транзисторов;

п) как изготовляются плоскостные транзисторы с диффузионной базой?

р) почему характеристики, снятые в схеме с общим эмиттером, сильнее зависят от температуры, чем характеристики, снятые в схеме с общей базой?

с) почему для схем с общим эмиттером при I_вх= 0 коллекторный ток увеличивается по сравнению с коллекторным током в схеме с общей базой?

т) почему допустимые напряжения на коллекторе в схеме с общим эмиттером меньше, чем в схеме с общей базой?