Исследование характеристик биполярных транзисторов, страница 2

2.Ознакомиться со справочными данными испытуемого полупроводникового триода.

3.Составить измерительные схемы.

4.По справочным данным испытуемого транзистора определить для  каждого пункта задания величины подаваемых на электроды напряжений, ожидаемый ход кривых и пределы их снятия.

3.ИСПОЛЬЗУЕМАЯ АППАРАТУРА

1.Стандартный лабораторный стол для исследования электронных приборов (СИЭП-2).

2.Транзисторы (по указанию преподавателя).

4. ЗАДАНИЕ К РАБОТЕ В ЛАБОРАТОРИИ

1.Собрать схему включения с общей базой (рис.1), установить напряжения коллектора и эмиттера равными нулю, затем вставить триод в панель.

2.Снять и построить следующие характеристики транзистора:

а) входные (эмиттерные) Iэ = f(Uэ) и передачи (коллекторно-эмиттерные) Iк = f(Iэ) при трех значениях Uк, в том числе при Uк = 0В;

б) выходные (коллекторные) Iк = f(Uк) при трех значениях тока эмиттера Iэ;

3. Собрать схему включения транзистора с общим эмиттером (рис.2).

4. Снять и построить следующие зависимости для транзистора, включенного в схеме с общим эмиттером:

а) входные Iб = f(Uб) и характеристики прямой передачи Iк = f(Iб) и Iк=f(Uб) при трех значениях Uк, в том числе при Uк = 0В;

б) выходные характеристики Iк = f(Uк) при трех значениях тока базы Iб.

ПРИМЕЧАНИЕ. При работе с полупроводниковыми приборами категорически запрещается превышать максимальные значения токов и напряжений, а также мощности, рассеиваемые в цепях электродов приборов, указанные в справочнике для данного типа приборов.

5. ОБРАБОТКА ПОЛУЧЕННЫХ ДАННЫХ

Определить h-параметры транзисторов в схеме с общим эмиттером (общей базой) для точки, указанной преподавателем.

6.ОТЧЕТ