Исследование характеристик биполярных транзисторов, страница 3

Отчет должен содержать:

1) основные паспортные данные испытуемого транзистора;

2) измерительные схемы;

3) графики всех снятых кривых;

4) результаты обработки полученных данных согласно разделу 5;

5) анализ полученных результатов.

Наименование параметров	Обзна-чение	Еден. измер.	Тип транзистора
Наименование параметров	Обзна-чение	Еден. измер.	МП16	МП16Б
ПАРАМЕТРЫ ПОСТОЯННОГО ТОКА*
Начальный ток коллект.перехода при напряжении на коллекторе, В	I_кбо	мкА	-	-
Начальный ток эмиттерн.перехода при Напряжении на эмиттере, В	I_кэо	мкА	-	-
РЕЖИМ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ
Напряжение на коллекторе	U_к	В	1	1
Ток коллектора	I_к	мА	10	10
МАЛОСИГНАЛЬНЫЕ ПАРАМЕТРЫ
Входное сопротивление	h_11б	Ом	-	-
Коэффициент передачи тока	h_21э		25-30	45-100
Коэффициент обратной связи	h_12б		-	-
Выходная проводимость	h_22б	мкСм	-	-
ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ПАРАМЕТРЫ
Граничная частота коэф.передачи тока	f_h_21б	МГЦ	1	2
Емкость коллектора	C_к	пФ	-	-
Постоянная времени цепи коллектора	r_кС_к	сек	-	-
Коэффициент шума	F_m	дБ	-	-
ПРЕДЕЛЬНЫЕ ПАРАМЕТРЫ
Напряжение коллектор-база при х.х в цепи эмиттера	U_кбо	В	-	-
Напряжение коллектор-эмиттер при сопротивлении в цепи базы	U_кэ_r	В	15	15
Постоянный ток коллектора	I_km	мА	50	50
Ток коллектора в импульсном режиме	I_км	мА	300	300
Постоянная мощность рассеиваемая транзистором без теплоотвода	P_m	мВт	200	200
ТЕПЛОВЫЕ ПАРАМЕТРЫ
Максимальная температура перехода	Т_max	⁰C	+85	+85
Минимальная температура перехода	Т_min	⁰C	-60	-60
Тепловое сопротивление переход-среда	R_пс	⁰С/мВт	0,2	0,2
Тип перехода			p-n-p германий
Конструкция и расположение выводов

1 2 3 4 5

Скачать файл