Просмотр 2D и 3D файлов в МicroТeс. Моделирование электрических свойств NMOS-транзистора программой SemSim

ПРИЛОЖЕНИЯ

Просмотр 2D и 3D файлов в МicroТeс

Часто возникает необходимость просмотра результатов моделирования на другой машине. Например, созданных дома проектов в терминальном классе и наоборот. Для этого можно перенести файлы 2D и 3D на дискетах и просматривать их в следующем порядке.

1.  Скопировать ваши 2D и 3D файлы в любую другую область диска D: /, но не в МicroТeс.

2.  Открыть sibgraf 2D для любого проекта, в котором уже активны кнопки 2Dи 3D.

3.  Выбрать нужный вам файл и загрузить его: FileloadD:/ filename *.*

Sibgrafпереходит в режим просмотра и далее кнопки curveadd вызывают обычное меню выбора кривых из загруженного Вами файла.

После загрузки 2D и 3Dиз области D: /, файлы текущего проекта МicroТeс уже недоступны. После окончания просмотра следует закрыть Sibgrafи кнопкой exitвыйти из МicroТeс. После этого загруженные файлы отсоединяются от МicroТeс.

Просмотр 3Dфайлов аналогичен.

Перенос графиков в текст КП

Кнопкой PrintScreen поместить содержимое экрана в буфер  обмена.     Вызвать из стандартных программ Paint , далее  Правка  Вставить. Рисунок  Обратить цвета. Правка  Копировать. Рисунок попадает в буфер обмена.

Вызвать  PhotoEditorПравка  Вставить. Рисунок загружается из буфера обмена. Далее Рисунок   Обрезать  Поля обрезки. Убрать лишние элементы рисунка. Эффекты  Резкость, отрегулировать резкость линий. Правка  Копировать, рисунок вновь в буфере обмена и может быть скопирован в любой текстовый файл.      

Содержание пояснительной записки

В тексте пояснительной записки по результатам курсового проекта следует представить:

1.  Титульный лист и лист с заданием.

2.  Краткое описание проектируемой структуры с поясняющими рисунками.

3.  Входной командный файл SemSim с русскими комментариями.

Транзисторные характеристики.

Образец оформления командного файла приведен в Приложении.

4.  Распределение примесей:

4.1 Контурная карта в логарифмическом масштабе по всей области   моделирования. Сечения по Х и Y в активной и пассивной областях.

4.2 Распределение примесей  по глубине в активной области прибора, т.е. в середине эмиттера по Y для биполярного транзистора и вдоль длины канала по X в МОП транзисторе, при Y=0.

5.  Распределение скорости лавинной генерации  для напряжений на коллекторе и стоке больше 6В. Предусмотреть в Basic Physical model  Impact Ionization  1

6.  Одна сток затворная характеристика I_D(U_G) в пологой области или входная характеристика БТ I_B(U_BE) при U_C=1В.

7.  Три выходные характеристики при различных напряжениях на затворе или на базе БТ. Ширину канала или эмиттера предусмотреть около 10мкм, в BasicDomainZsize10.

8.  Список литературы по прилагаемому образцу.

Текст настоящей инструкции использовать для заполнения листа     задания и оформления пояснительной записки  к курсовому проекту и РГЗ.

N – MOП - транзистор

Моделирование электрических свойств NMOS – транзистора программой SemSim ,

DOPN: Распределение доноров и акцепторов считывается из указанного ниже файла

FILE='P0000032.3D'}

#BAS: Сетка, число узлов  по Х и Y, размеры по Х, Y и Z, начальный шаг по Y

MESH:NX=80,NY=80,XX=2,YY=2,ZZ=1,HY0=0.01,MESH=2;

SOLV: Параметры численного решения, ключ исполнения BATC=1 без остановки вывода на каждом шагу, точность решения для остановки в долях kT,ограничение числа итераций.

COMM='NMOS transistor ',BATC=1,GRES=0.1,GUMM=10;}

#ELE: Электроды, имя обязательно: первая буква используется для индексации токов и напряжений, номер электрода, расположение - 1-потолок (top), 2- дно (bottom),  левый и правый край электрода. Возможные типы электродов:  OHMI - омический, GATE - изолированный затвор с параметрами диэлектрика, SCHO - выпрямляющий контакт металл-полупроводник.

OHMI:NAME='Bulk',NUM=1,LOC=2,XLT=0,XRT=2;

OHMI:NAME='Source',NUM=2,LOC=1,XLT=0,XRT=0.3;

GATE:NAME='Gate',NUM=3,LOC=1,XLT=0.4,XRT=1.6,TOX=0.02,XQS=1e-2,

AQS=1e-2,QSH=0,QSG=0,VSN=1e-15,VSP=1e-15,FIM=4.55;

OHMI:NAME='Drain',NUM=4,LOC=1,XLT=1.7,XRT=2; }

#IVD: Генерация точек вольтамперных характеристик

IVDA:TEXT='Id-Vg curve',

Наименование вольтамперной характеристики, далее: номер электрода, на котором будет изменяться напряжение, число точек ВАХ, шаг по напряжению. Напряжения должны быть заданы также на всех остальных контактах в каждой из IVDA директив.

NUMC=3,NPNT=10,VSTE=0.2,V4=0.6,V1=0,V3=0,

V2=0;

Далее две выходных ВАХ при разных напряжениях на затворе V3=0.8 и V3=1.2

IVDA:TEXT='Id-Vd curve',NUMC=4,NPNT=10,VSTE=0.3,V4=0,V1=0,V3=0.8,

V2=0;