Математика \ Математическое моделирование

Просмотр 2D и 3D файлов в МicroТeс. Моделирование электрических свойств NMOS-транзистора программой SemSim, страница 2

IVDA:TEXT='Id-Vd curve',NUMC=4,NPNT=10,VSTE=0.3,V4=0,V1=0,V3=1.2,

V2=0;

}

$

ВАРИАНТЫ ЗАДАНИЙ ПО КУРСОВОМУ ПРОЕКТИРОВАНИЮ

Таблица 1.

Варианты биполярных транзисторов

Вариант	E			B		C		BL
Вариант	FE, мкм2	No, см-3	YJ, мкм	No, см-3	YJ , мкм	No, см-3	d, мкм	No, см-3	YJ, мкм
1	5	2e20	0.5	2e18	0.8	2e16	3	1e19	0.5
2	3	3e20	0.4	5e18	0.6	1e16	2	2e19	0.3
3	8	2e20	0.5	4e18	0.9	3e16	4	8e18	0.4
4	2	1e20	0.75	1e18	0.9	2e16	3	1e20	0.3
5	4	3e20	0.3	3e18	0.45	1e16	1	5e19	0.5
6	2	2e20	0.45	1e18	0.7	2e16	6	3e18	0.4
7	8	1e20	0.5	1e18	0.7	3e16	4	1e19	0.5
8	4	3e20	0.35	5e18	0.5	1e16	3	2e19	0.3
9	8	5e20	0.3	3e18	0.45	2e16	2	3e19	0.5

Таблица 2.

Варианты МОП транзисторов

Вариант	Подложка			Канал
Вариант	NAB, см-3	NA0 см-3	Ych, мкм	ND0, см-3	YSD, мкм	L, мкм	b, мкм
1	1e14	1e16	0.2	1e19	0.3	0.2	2
2	1e15	1e17	0.3	1e18	0.4	0.3	3
3	2e14	1e16	0.2	2e18	0.2	0.5	4
4	2e14	2e17	0.1	2e19	0.05	0.1	1
5	1e15	1e17	0.2	1e19	0.3	0.5	2
6	1e14	1e18	0.1	1e19	0.1	0.3	4
7	2e14	2e17	0.3	2e19	0.3	0.6	5
8	2e15	1e17	0.35	2e18	0.4	0.5	6
9	3e14	2e16	0.3	2e19	0.35	0.3	3

Таблица 3

Варианты ПТШ

Вариант	Исток-сток		Канал			Подложка		Затвор
Вариант	ND0, см-3	YSD, мкм	ND, см-3	d, мкм	L, мкм	NAB, см-3	Фв, эВ
1	1e19	0.3	1e16	2	5	1e17	0.7
2	2e19	0.2	2e16	0.5	3	1e18	0.5
3	1e19	0.2	3e16	0.2	1	1e19	0.65
4	2e19	0.3	2e16	0.4	2	2e18	0.6
5	1e19	0.5	5e15	1	1	2e16	0.65
6	1e18	0.4	1e16	2	2	2e17	0.7
7	1e19	0.5	2e16	1	1	2e18	0.55
8	2e19	0.3	1e16	1	9	3e17	0.6

Таблица 4

Варианты ПТУП

1 2 3

Скачать файл

Уважаемый посетитель!

Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).

Ссылка на скачивание - внизу страницы.