·
Внутреннее тепловое сопротивление навесного компонента –
= 600ºС/Вт.
Анализ теплового режима МСБ:
1. Определение теплового сопротивления (коэффициент кондуктивной передачи):

2. Определение приведенной толщины платы:

3. Определение максимально допустимой удельной мощности рассеивания P0' на поверхности подложки (платы):

tн max доп. – максимально допустимая температура навесного компонента;
tк – температура корпуса;
Pнi – мощность, рассеиваемая i-м навесным компонентом, Вт;
Rт внi – внутреннее тепловое сопротивление навесного компонента, %Вт;
lхн и lун – ширина и длина навесного компонента, м.
Перегрев относительно платы наиболее теплонагруженного компонента − Qнmax:


4. Сравнение
усредненной мощности рассеивания МСБ Po и максимально
допустимой удельной мощности рассеивания
.

IМСБ – суммарный ток, потребляемый МСБ, А;
Е – напряжение источника, В;
Sпл. – площадь платы;
РМСБ – мощность, рассеиваемая МСБ, Вт.

При
обеспечивается
заданный тепловой режим МСБ при произвольном размещении элементов и нет
необходимости рассчитывать зоны защиты и перегревы элементов МСБ.
5. Максимально возможные температуры пленочных резисторов tR max и навесных компонентов tН max определяют по формулам:

В МСБ различают электрические
(емкостные), магнитные
(индуктивные) и гальванические
(кондуктивные) связи.
Этапы анализа паразитных связей в МСБ:
3.
Сопоставление полученных значений
,
,
стребованиями ТЗ и в случае необходимости составление рекомендаций по
коррекции топологии МСБ.
Допустимые значения паразитных параметров.
|
Cдоп.пар., пФ |
Mдоп.пар., нГн |
Идоп.пар., мВ |
|
5 |
40 |
50 |
Проанализировав чертеж топологии МСБ можно выделить три наиболее существенных фрагмента, в которых возникает емкостная паразитная связь:
· при пересечении двух плоских проводников.
Емкость
, пФ, между параллельными
проводниками
и
рассчитывается
по формуле:
, где:
- емкостной коэффициент связи
и
проводников;
- длина параллельных
проводников, см;
- относительные диэлектрические
проницаемости подложки (платы) и воздуха (защитного слоя).
,
.
С точностью не ниже 25% емкостной коэффициент для двух параллельных проводников равен:
, где:
,
-
ширина проводников;
- расстояние между ними.
В нашем случае для двух параллельных проводников:
|
|
b1= 0.04 см b2= 0.04 см a= 0.084 см l = 0.21 см |
Рис.10 Фрагмент параллельно идущих проводников

Емкость между параллельными проводниками:
![]()
, следовательно, данный вариант
топологии удовлетворяет требованиям ТЗ, и нет необходимости корректировки.
Взаимная индуктивность между двумя параллельными проводниками определяется по формуле:
,где:
- длина проводников, см;
- расстояние между проводниками,
см.
На основе анализа фрагментов МСБ выполним необходимый расчет для двух параллельных проводников и системы, состоящей из трех проводников.
В случае двух параллельных проводников:
<
= 40нГн.
В МСБ длина коммутационных проводников может достигать
нескольких сантиметров. На шинах питания и заземления имеют место падения напряжения
, обусловленные протекающими
постоянным и переменным токами. Эти напряжения приводят к нарушению
устойчивости аналоговых МСБ и уменьшению помехоустойчивости цифровых МСБ.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.