где Db и Dl – абсолютные погрешности ширины и длины резистивной полоски, обусловленные технологическими процессами. Для типовых технологических процессов Db=Dl=0,05–0,1 мкм. Примем Db=Dl=0,1 мкм.
Кf – коэффициент формы резистора
R – сопротивление резистора
γkf - относительная погрешность коэффициента формы резистора
Изм
№ докум.
γr- полная относительная погрешность диффузионного резистора
γρs- относительная погрешность воспроизведения удельного поверхностного сопротивления легированного слоя ( для типовых технологических процессов γρs =0,05 – 0,1) Выберим γρs = 0,05
γt = α ΔT - температурная погрешность сопротивления (ΔT=85К исходя из условий технического задания : ИМС предназначена для эксплутации в макро-климатическом районе с умеренным климатом).
Ширину bP определяют из выражения
где Pd – максимально допустимая удельная мощность рассеяния ,выбираемая в зависимости от условий эксплуатации ИМС.
Определяется промежуточная ширина резистора
bpr = bрасч где Dtraw– погрешность, вносимая за счет растравливания окон в маскирующем окисле перед диффузией (для типовых процессов диффузии Δtraw=0,2–0,5 мкм); Dy – погрешность, вносимая за счет ухода диффузионного слоя по маскирующий окисел в боковую сторону (ориентировочно Dy составляет 60% глубины базового слоя и 80% глубины эмиттерного слоя).
Если bp³ bТЕХН , то за bТОП принимают равное или ближайшее к btop значение, кратное шагу координатной сетки. Реальную ширину резистора на кристалле определяют так же, как и в первом случае.
Расчетную длину резистора определяют по формуле
, где Nизг –
количество изгибов резистора на угол 90°;
k1 ,k2 – поправочные коэффициенты, учитывающие сопротивление контактных площадок; n1, n2– число контактных площадок (обычно n=2).
Реальная длина резистора на кристалле будет меньше топологической длины на чертеже за увеличения геометрических размеров контактных областей.
Сначала оценивают промежуточное значение длины резистора:
За топологическую длину резистора lТОП принимают ближайшее lp значение длины, кратное шагу координатной сетки, принятому для чертежа топологии. Определяют реальную длину резистора :
Изм
№ докум.
После всех расчетов определяют реальное сопротивление спроектированного резистора.
Для резисторов сопротивлением 200 Ом и 1,5 кОм выберем конфигурацию, показанную на рис.8 ; для резисторов сопротивлением 3 кОм, 4 кОм, 8 кОм – на рис.9 ; для резистора сопротивлением 20 кОм – рис.10. [3]
Для всех расчетов шаг координатной сетки примем равным 2,5 мкм.
Рис.8
Рис.9
Рис.10
Изм
№ докум.
Изм
№ докум.
Изм
№ докум.
Изм
№ докум.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.