Другие предметы \ Конструирование и технология микросхем и микропроцессоров

Разработка полупроводниковой интегральной микросхемы, реализующей логическую функцию «И-НЕ», страница 3

Для расчета сопротивления коллектора rk коллекторную область разбивают на участки простой конфигурации, для которых несложно подсчитать вносимое ими сопротивление (рис.5). Структура интегрального транзистора для расчета тела коллектора представлена на рис.4 Расчитанное с помощью разбиения на участки простой конфигурации сопротивление rk имеет завышенное значение, так как предполагается, что линии коллекторного тока направлены либо перпендикулярно, либо параллельно поверхности пластины в плоскости рисунка.

Рис.4 Структура интегрального транзистора для

расчета тела коллектора

Для участка 1 на рис.4 выбирается конфигурация б) на рис.5; для участков 2 и 4 – в) ; для участков 3 и 5 – а).Сопротивления конфигураций определяются , соответственно, как :

Лист

Изм

Лист

№ докум.

Подп. одп.

Датта

Рис.5 Простейшие конфигурации для определения сопротивления тела коллектора

Лист

Изм

Лист

№ докум.

Подп. одп.

Датта

Определяем длину и ширину коллектора [3, рис.1.39]:

Lk = 70 мкм – длина коллектора

Zk = 50 мкм – ширина коллектора

Лист

Изм

Лист

№ докум.

Подп. одп.

Датта

Расчет базовой области

При расчете сопротивления базовой области rb структуру разбивают на области, сопротивление которых легко определяется ( рис.5).Но в отличие от rk сопротивление rb зависит от эмиттерного тока.Поэтому при определении сопротивления области базы, непосредственно находящейся под эмиттером, нужно учитывать влияние эмиттерного тока.Структура база , поделенная на области простой конфигурации, представлена на рис.6.Области 1 и 3 на рис.6 имеет конфигурацию рис.5, в), а область 2 – рис.5, б).

Для расчета сопротивления базовой области под эмиттером (область 1 на рис.6) используется следующее выражение [1] :

, где r0 – сопротивление базовой области под донной частью эмиттера