Другие предметы \ Конструирование и технология микросхем и микропроцессоров

Разработка полупроводниковой интегральной микросхемы, реализующей логическую функцию «И-НЕ», страница 2

12 КЭФ 0,5 (100)(n+ - М)

КСДИ 40 ------------------------

200 SiO2 1,5 - 35

Кремниевая эпитаксиальная структура с диэлектрической изоляцией элементов диаметром 40 мм, с толщиной кремниевого эпитаксиального слоя 12 мкм, материал эпитаксиального слоя – кремний марки КЭФ (легирован фосфо-ром) с удельным сопротивлением 0,5 Ом см, монокристаллический кремний имеет кристаллографическую ориентацию (100), содержит не выходящий на поверхность n+-слой, легированный мышьяком.Толщина структуры 200 мкм, монокристаллические области изолированы двуокисью кремния толщиной 1,5 – 3,5 мкм.

Исходные данные для расчета

q- заряд электрона

ρk – удельное сопротивление коллекторного слоя

he – глубина залегания базо-эмиттерного перехода

hb – глубина залегания базо-коллекторного перехода

hk – толщина коллекторной области

Nab – поверхностная концентрация акцепторов в базе

Ndk – концентрация донорной примеси в коллекторе

Nde0 и Nde` - концентрация донорной примеси в эмиттерной области : на поверхности и у перехода база-эмиттер

k- постоянная Больцмана

Лист

Изм

Лист

№ докум.

Подп. одп.

Датта

hckp – толщина скрытого n+ - слоя

ε0 – постоянная диэлектрическая проницаемость

εр – относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника (Si)

ni- собственная концентрация носителей в полупроводнике

Wb – толщина базы

ρp – удельное сопротивление поликремниевой подложки

Лист

Изм

Лист

№ докум.

Подп. одп.

Датта

Рис.1

Рис.2

Рис.3

Лист

Изм

Лист

№ докум.

Подп. одп.

Датта

Расчет геометрических размеров эмиттерной области

Прежде чем перейти к расчету геометрии эмиттера, нужно сначала определить удельное поверхностное сопротивление базового слоя ρs. Удельное поверхно-стное сопротивление базового слоя можно получить определив параметры диффузионного процесса, формирующего базовый слой.