Пленочные элементы интегральных микросхем и микросборок
К пленочным элементам относят: резисторы, конденсаторы, проводники, линии с распределенными параметрами и пленки из диэлектрических материалов.
В зависимости от толщины пленки бывают:
Токая пленка – до 10 микрон;
Толстая пленка – от 10 микрон и более.
Толстые пленки изготавливают с помощью паст. Тонкие пленки – все виды получения пленок.
Кроме толщины все пленки различаются материалом, технологией изготовления и электрофизическими параметрами (у тонких пленок имеют нелинейную зависимость) и общими требованиями конструкции пленочных элементов (минимальные габаритные размеры, стабильность, воспроизводимость характеристик в процессе производства, совместимость технологических процессов с технологическими процессами изделий в состав которых они будут входить.
,
Если у нас квадратная форма, то: .
Основными электрическими параметрами пленочного резистора являются: R, ,Кф,
, удельная мощность .
Расчет тонкопленочных резисторов
Исходные данные:
Номинальная величина сопротивления – R;
Допуск на номинал – gR;
Диапазон рабочих температур – ;
Точность выполнения линейных размеров –Db, Dl;
Технологические ограничения:
Мощность, рассеиваемая на каждом резисторе – P.
В зависимости от точности изготовления резистора выбирается тот или иной способ формирования конфигурации:
При gR³10 % можно воспользоваться масочным способом;
При gR£5 % фотолитографическим методом.
Выбрав метод формирования конфигурации определяют Db и Dl, а соответственно и технологические ограничения.
Рекомендуется следующая последовательность проведения расчета:
1) Определяется соотношение: , если получается больше 50 то рекомендуется изготавливать резисторы из двух различных материалов. Для этого все резисторы разбивают на две группы:
первой группы меньше а,
второй группы больше значения сопротивления численно равного удельному электрическому сопротивлению:
,
– номинал i-го сопротивления,
n – число резисторов в схеме.
После разбивки рассчитывают для каждой группы в отдельности, потом делят и если а меньше 50, то можно делать из одного материала.
2) Выбираем материал резистивной пленки из таблицы с удельным сопротивлением близким к рассчитанному значению и соответственно с учетом рекомендуемого диапазона номинальных значений резисторов. При этом необходимо, чтобы температурная погрешность была мала, а удельная мощность Р0 велика.
3) Рассчитываем погрешности:
,
– погрешность коэффициента формы,
– погрешность воспроизведения удельного сопротивления,
– температурная погрешность,
– погрешность, связанная со старением пленки,
– погрешность переходных сопротивлений контактов.
В первом приближении .
Две последние составляющие важны для прецизионных резисторов и составляют (1–2)%.
,
– температурный коэффициент сокращения материала пленки, задана.
;
4) Определяем коэффициент формы каждого резистора:, если , то резистор можно выполнять прямоугольной формы, длина которого больше ширины, если , то длина выполняется меньше ширины, если , то резистор должен иметь форму меандра.
Резисторы с коэффициентом формы меньше 0,1 занимают большие площади на подложке и выполнять их не рекомендуется.
5) Определяется ширина резистора, коэффициент формы которого больше 1:
– технологическое минимальное значение ширины, определяемое технологическими факторами,
– определяется заданной точностью изготовления,
(по мощности) – обеспечение необходимой мощности рассеяния.
,
Кф – берется в долях единицы.
,
Р0 – допустимая удельная мощность рассеяния резистора.
За ширину b принимают ближайшее к большее значение, кратное шагу координатной сетки h принятому для чертежа топологии (рекомендуется h=0,01 мм).
6) Определяется длина резистора, имеющего коэффициент формы больше 1:
,
, .
За длину lp берется большее значение кратное шагу координатной сетки.
7) Определяется ширина резистора с коэффициентом формы меньше 1:
, полученное значение округляется в большую сторону с точностью до h. Таким образом получаем b для каждого резистора.
Для прямоугольной формы резистора .
Если резистор состоит из резистивных полосок, то берется сумма их, которая равняется .
Если Кф>10, значит резистор должен иметь форму меандр.
1) Определяется длина средней линии .
а – расстояние между резистивными полосками ,
t – шаг одного звена (меандр) ,
Lm – длина контура меандр,
bm – ширина контура меандр.
– число звеньев.
2) Определяется длина средней линии: .
3) Задается расстояние а с учетом технологичных ограничений. Материал . Оптимально а=b. Определяется оптимальное количество звеньев:
,
, вычислив величину nопт округляем до ближайшего целого числа.
4) Определяется длина меандра:
, .
Расстояние а выбирается из конструктивных соображений. Оно должно удовлетворять условию:
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.