12. Площадь, занимаемую конденсатором на подложке.
В связи с малой толщиной пленки коммутационные проводники в микросхемах имеют активное сопротивление, пренебрегать которым можно не всегда. На высоких частотах возрастает реактивное сопротивление проводников. Индуктивность соединяющих проводников необходимо учитывать уже на частоте 60 – 100 МГц, на этих и более высоких частотах величина индуктивности становится соизмерима с величиной индуктивности контурных катушек, а модуль их полного сопротивления с сопротивлением Rб транзистора. У пленочных проводников имеющих большое сопротивление при постоянном токе на высоких частотах комплексное сопротивление еще больше увеличивается за счет того, что толщина пленки намного меньше глубины проникновения поля (скин-эффект). В этом случае увеличивается индуктивность проводников:
,
,
l – длина проводников в мм.
Если обозначим через f частоту на которой производятся измерения комплексного сопротивления Rf. R0 – сопротивление проводников измеренное при постоянном токе и если резистор предназначен для работы в цепях высокой частоты, то необходимо провести оценку его частотных свойств, т.к. сопротивление в этом случае нельзя рассматривать как чисто активное. Реактивная составляющая сопротивления появляется:
1) В связи с распределенной емкостью,
2) Наличием собственной индуктивности,
3) Потери в материале подложки:
,
– приведенная емкость действие которой эквивалентно совместному действию распределенной емкости и сопротивления потерь ().
Резистор считается частотонезависимым, если его полное сопротивление не отличается от 0,5 %:
а) , б) .
Последовательность нанесения тонкопленочных слоев
1. Если в схеме нет конденсаторов.
1) Резистивный;
2) Выводы резистора и контактные площадки, часть проводников;
3) Диэлектрический слой в местах пересечения проводников;
4) Оставшаяся часть проводников;
5) Защитный слой.
2. Если в схеме есть конденсаторы.
1) Резистивный;
2) Выводы резистора, контактные площадки и часть проводников;
3) Диэлектрик в местах пересечения проводников;
4) Часть проводников;
5) Нижние обкладки конденсаторов, при необходимости часть проводников;
6) Диэлектрический слой конденсаторов;
7) Верхние обкладки конденсаторов, при необходимости часть проводников;
8) Защитный.
Контактные площадки на первом листе топологического чертежа должны быть пронумерованы, нумерацию начинают с левого нижнего угла платы и ведут против часовой стрелки. В начале нумеруют внешние контактные площадки служащие для подсоединения к выводам корпуса, затем внутреннюю нумерацию внутренних контактных площадок проводят с нижнего левого угла: снизу вверх, слева направо. Если микросхема помещена в корпус, выводы которого пронумерованы, нумерация внешних контактных площадок должна соответствовать нумерации выводов корпуса.
Технические требования помещают на первом листе топологического чертежа.
К ним относят:
1) Специальные требования и свойства по изготовлению подложки;
2) Данные по изготовлению отдельных слоев;
3) Требования к точности изготовления элемента;
4) Требования к внешнему виду платы;
5) Данные и указания по проверке параметров элементов;
6) Указания о соответствии нумерации контактных площадок;
7) Нумерация выводов принципиальной схемы. Нумерация выводов корпуса.
Все данные за носятся в таблицу.
Топологический чертеж микросхемы выполняют с соответствующим масштабом, подложку со всеми нанесенными на нее элементами изображают с указанием позиционных обозначений в соответствии с принципиальной схемой. Топологическому чертежу присваивают наименование платы.
На каждый слой на первом листе топологического чертежа наносят штриховки, вид штриховки расшифровывается в соответствующей таблице.
Сборочный чертеж оформляется в соответствии с ГОСТом и должен содержать достаточное число видов, проекций, сечений и разрезов для показа взаимного расположения всех составляющих частей микросхемы и способ их соединений.
В технических требованиях приводимых на сборочном чертеже должны содержаться сведения о сборке, защите, окраске, маркировке изделия, с ссылками на документы регламентирующие электрические параметры изделий и способ их измерения.
Выбор места установки навесного элемента и расположения контактных площадок для его подсоединения определяются цоколевкой навесного элемента, длиной, жесткостью его выводов, допускается установка навесных элементов на пленочных проводниках маломощных резисторов, предварительно защищенными слоем диэлектрика. Минимальное расстояние от края контактной площадки до навесного элемента 500 микрон.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.