Разработка конструкции и технологии изготовления полупроводниковой интегральной микросхемы (категория РЭА – для эксплуатации в закрытых помещениях), страница 4

        - для типовых технологических процессов

    

Из трех значений выбираем больший

  - погрешность, вносимая за счет растравливания окон в маскирующем окисле перед диффузией (для типовых технологических процессов Dтрав=0,2 - 0,5 мкм).

 - погрешность, вносимая за счет ухода диффузионного слоя под маскирующий окисел в боковую сторону (ориентировачно Dy составляют 60% глубины базового слоя и 80% глубины эмиттерного слоя).

    

  

Значение k определяется по графикам рис.1,35 [3] , задаваясь нужными значениями соотношений L1/b  и L2/b.

   

    

    

 

   

  

>  условие выполняется.Следовательно расчет резистора выполнен правильно

Расчет резистора сопротивлением R3=1 кОм

- максимально допустимая удельная мощность рассеивания, выбираемая в зависимости от от условий эксплуатации ИМС.

 

 

 

 

  

  - минимальная ширина резистора, определяемая из максимально допустимой мощности рассеяния

  - коэффициент формы резистора

bтех - минимальная ширина резистора

- для планарно-эпитаксиальной технологии

Db и Dl - абсолютные погрешности ширины и длины резистивной полоски

    - для типовых технологических процессов

  

Из трех значений выбираем больший

  - погрешность, вносимая за счет растравливания окон в маскирующем окисле перед диффузией (для типовых технологических процессов Dтрав=0,2 - 0,5 мкм).

- погрешность, вносимая за счет ухода диффузионного слоя под маскирующий окисел в боковую сторону (ориентировачно Dy составляют 60% глубины базового слоя и 80% глубины эмиттерного слоя).

    

   

   

 

  

  

 

  

>  условие выполняется. Следовательно расчет резистора выполнен правильно

Расчет резистора сопротивлением R4= 130 Ом

 - максимально допустимая удельная мощность рассеивания, выбираемая в зависимости от от условий эксплуатации ИМС.

 

   - минимальная ширина резистора, определяемая из максимально допустимой мощности рассеяния

- коэффициент формы резистора

bтех - минимальная ширина резистора

- для планарно-эпитаксиальной технологии

Db и Dl - абсолютные погрешности ширины и длины резистивной полоски

        - для типовых технологических процессов

   

Из трех значений выбираем больший

 - погрешность, вносимая за счет растравливания окон в маскирующем окисле перед диффузией (для типовых технологических процессов Dтрав=0,2 - 0,5 мкм).

- погрешность, вносимая за счет ухода диффузионного слоя под маскирующий окисел в боковую сторону (ориентировачно Dy составляют 60% глубины базового слоя и 80% глубины эмиттерного слоя).

  

 

    

    

    

 

    

 

 

  

>условие выполняется.Следовательно расчет резистора выполнен правильно

Выбор и обоснование структуры диода ИМС

Диоды широко применяются в ИМС и предназначены либо для того, чтобы выводить транзисторы из насыщения, либо для выполнения логических функций. Используются в основном две разновидности диодов: диоды с p-n-переходом (диоды, построенные на основе база-эмиттерного или база-коллекторного переходов) и диоды с барьером Шотки.

Как  уже отмечалось выше, основным требованием предъявляемым к разра-батываемой ИМС является требование повышения ее быстродействия.

Среди диодов с  p-n-переходом наибольшим быстродействием (время переключения из открытого состояния в закрытое) обладает конструкция диода на основе перехода база-эмиттер с коллектором, закороченным на базу (порядка 10 нс ).В  то же время  диоды с барьером Шотки  обладают временем переключения из открытого состояния в закрытое  ≤ 0,1 нс [8].Кроме того, диод Шотки обладает достаточно низким  падением напряжения на переходе в открытом состоянии Uдш = 0,3…0,4 В при токах, соответствующих рабочим токам других элементов ИМС. Температурная зависимость диодов Шотки в 1,5…2  раза слабее, чем у  диодов на основе p-n-переходов [7]. Предельная рабочая частота диода Шотки  fдш = (3…4)fh21b.