Динамика развития неоднородной поверхности полупроводникового тела в процессе его термического окисления, страница 2

В соответствии  с расчетамиконстанта параболического роста окисной пленки  в исследуемом температурном диапазоне и концентрации примеси бора и фосфора практически не изменяется.

Константа линейного роста окисла резко возрастает в диапазоне концентраций примесей фосфора и бора  при низких температурах окисления менее 1000С. При высоких температурах окисления 1000-1200С константы роста практически не зависят от температуры и концентрации примеси.

В диапазоне концентрации фосфора  для низкотемпературного окисления в парах воды константа линейного роста увеличивается на порядок с __________ до __________ для окисления в сухом кислороде менее чем на полпорядка.

В диапазоне концентрации бора  для низкотемпературного окисления в парах воды константа линейного роста увеличивается на порядок с __________ до  __________ для окисления в сухом кислороде менее чем на полпорядка.

Приведенные данные, полученные из литературных источников положены в основу модели расчета изменения профиля неоднородной поверхности полупроводникового тела при низкотемпературном термическом окислении кремния в диапазоне концентрации примеси , имеющей зернистую структуру и неоднородный горизонтальный профиль легирования примеси.