Разработка топологии интегральной схемы «TL431»

Страницы работы

Содержание работы

Министерство науки и образования Российской Федерации

НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

Кафедра ППиМЭ
КУРСОВОЙ ПРОЕКТ

Разработка топологии интегральной схемы «TL431»

Группа:                                  РМ2-61

Студенты:                              Чернов А.С.

Преподаватель:                     Богомолов Б.К.

Отметка о защите:          ______________

Новосибирск 2010


Задание на РГЗ

Целью данного РГЗ является приобретение практических навыков решения инженерной задачи, создание конкретного микроэлектронного изделия, а так же закрепление, углубление и обобщение теоретических знаний, полученных на предыдущих этапах обучения в ВУЗе.

Задание:

1.  Ввести электрическую схему ИС (TL431) в систему моделирования MicroCap 9.0. Определить токи и напряжения во всех элементах интегральной схемы. Вид схемы взят из [1].

2.  Рассчитать топологию резистора, конденсатора и транзистора исходя из минимально возможных размеров.

3.  Провести корректировку топологии с учетом мощности рассеяния.

4.  Разработать топологию ИС при помощи САПР Паром.


Рис.1. Слаботочный стабилизатор положительного напряжения TL431. Схема электрическая принципиальная.


1. Токи и потенциалы в узлах ИС, полученные при моделировании в MicroCap9.0

Рис. 2. Токи в узлах интегральной схемы µA78L05AC.

Рис. 3. Потенциалы в узлах интегральной схемы TL431.

Резисторы

Резисторы, применяемые в ИС, их величины и значение токов, протекаемых через них.

Биполярные транзисторы

Биполярные транзисторы, которые используются в ИС, их тип и токи, протекаемые в эмиттере, базе и коллекторе.

Operating point for devices of type Diode

=========================================

Instance:                   D1                D2

Using model:             1N456             1N456

ID                    -88.579u           -7.524u

DC Power Terms:

PD                    822.560n           97.393n

PS                    -37.586u           26.137u

Operating point for devices of type Bipolar Junction Transistors NPN

===========================================================

Instance:                   Q1                Q2                Q4                Q5

Using model:             2N699             2N699             2N699             2N699

IB                     14.348u         -139.598n          545.334n           11.530u

IC                    414.905u           -4.958p           62.630u          280.852u

DC Power Terms:

PD                    343.787u           28.896p           48.580u          229.307u

PS                      4.497u          691.045n          209.766n            4.097u

Instance:                   Q6                Q9               Q10               Q11

Using model:             2N699             2N699             2N699             2N699

IB                    139.604n           60.955u           27.975u          -14.126u

IC                      3.919u          352.203u          412.048u          461.076u

DC Power Terms:

PD                     46.862p          136.439u          120.430u            1.013m

PS                      9.781u           26.308u           -9.956u           43.527u

Instance:                  Q12

Using model:             2N699

IB                    -86.537u

IC                      5.535m

DC Power Terms:

PD                     19.042m

PS                    181.181u

Operating point for devices of type Bipolar Junction Transistors PNP

===========================================================

Instance:                   Q7                Q8

Using model:            2N869A            2N869A

IB                     10.402u          -54.466u

IC                    396.267u          461.076u

DC Power Terms:

PD                    394.948u          343.353u

PS                      1.471u           -6.990u

Operating point for devices of type Resistor

============================================

Instance:                    R1                R2                R3                R4

DC Power Terms:

PD                     132.303u          132.266u          186.553u           57.669u

DC Pin Currents:

Ir                    -406.668u         -406.610u         -278.802u          -89.496u

Instance:                    R5                R6                R7                R8

DC Power Terms:

PD                     444.910u          199.536n            2.471n           82.075u

DC Pin Currents:

Ir                    -368.298u          -14.126u            4.058u          -90.595u

Instance:                    R9               R10               R11               R12

DC Power Terms:

PD                       3.193u          682.798u           10.408m          500.000m

DC Pin Currents:

Ir                     -63.176u         -413.158u            6.878m         -100.000m

Operating point for devices of type Capacitor

=============================================

Instance:                    C1                C2

DC Power Terms:

PS                     345.641u         -677.210n

DC Pin Currents:

Ic                       0.000             0.000

Operating point for devices of type SPICE Source

================================================

Instance:                   V1

DC Power Terms:

PG                    534.391m

DC Pin Currents:

ISource              -106.878m

2. Основные технологические параметры

·  Концентрация примеси в подложке 1.5*1015 см-3;

·  удельное сопротивление подложки 10 Ом*см;

·  глубина pn-перехода коллектор-подложка 12.5 мкм;

·  уровень легирования коллектора 1016 см-3;

·  глубина залегания коллектора 7 мкм;

Похожие материалы

Информация о работе