2. Экспонента: . Пусть входной сигнал
состоит первоначально из двух составляющих
. Тогда
.
С учетом формул (8.15) имеем
Перемножение этих рядов дает постоянную составляющую и составляющие с частотами вида (8.24)
,
. (8.25)
В случае воздействия на НЭ входного сигнала с большим числом синусоидальных составляющих аналогичным путем можно получить следующие формулы:
;
(8.26)
.
(8.27)
8.3. Задачи
8.3.1. Аппроксимация характеристик нелинейных элементов
1. Характеристика НЭ изображена на рис. 8.5.
Аппроксимируйте эту характеристику
полиномом второй степени, потребовав совпадения в трех точках (включая
крайние). Сопоставьте расчетные и экспериментальные значения тока для напряжения
В и
В.
2. То же, но характеристика смещена вправо на 8 В (рис. 8.6).
Рис. 8.5 Рис. 8.6
3. При снятии характеристики НЭ были получены следующие данные:
|
0 |
2 |
4 |
6 |
8 |
10 |
|
0 |
1 |
2 |
4 |
6 |
9 |
Представьте характеристику полиномом
второй степени исходя из требований совпадения в точках В,
В,
В.
4. При
снятии зависимости тока стока от напряжения на затворе
(проходной характеристики) полевого
транзистора КП103Ж были получены следующие данные:
|
–1.6 |
–1.4 |
-1.2 |
-0.8 |
-0.4 |
0 |
0.4 |
0.8 |
1.0 |
1.2 |
1.4 |
1.6 |
|
4.0 |
3.9 |
3.65 |
3.2 |
2.6 |
2 |
1.4 |
0.8 |
0.55 |
0.35 |
0.1 |
0.0 |
График этой зависимости показан на рис. 8.7.
Аппроксимируйте эту характеристику неполным полиномом третьей степени (мА):
.
(8.28)
Указание. Рекомендуется рассчитать значения тока по аппроксимирующей функции (8.28) и сопоставить их с экспериментальными.
5. Проходная характеристика полевого транзистора (КП303Е) дана на рис. 8.8.
Аппроксимируйте ее полиномом вида
(8.28), потребовав совпадения в точках В,
В,
В.
Рис. 8.7 Рис. 8.8
6. При снятии вольт-амперной характеристики НЭ получены следующие данные:
|
0 |
0.1 |
0.2 |
0.3 |
0.4 |
0.5 |
0.6 |
0.7 |
0.8 |
1.0 |
|
0.5 |
1.2 |
3.0 |
7.5 |
18 |
45 |
110 |
350 |
1000 |
104 |
Аппроксимируйте эту характеристику экспонентой
.
(8.29)
Рекомендуется воспользоваться методом приведения к линейному виду.
Постройте графически зависимость и определите область
применимости аппроксимирующей функции.
7. Характеристика полупроводникового диода приведена на рис. 8.9.
Получите простые соотношения для расчета коэффициентов аппроксимации, полагая, что характеристика описывается функцией
.
(8.30)
8. Характеристика полупроводникового
диода аппроксимирована выражением (8.30). А –
обратный ток насыщения,
,
В – температурный потенциал перехода.
Определите напряжение , при котором крутизна (
) характеристики составляет 10 мА/В.
а б
Рис. 8.9 Рис. 8.10
9. Характеристика лампы или полевого транзистора (рис. 8.10) может быть аппроксимирована выражением с гиперболическим тангенсом (формулой Н. Н. Крылова):
.
(8.31)
Найдите значения коэффициентов ,
и
для случаев аппроксимации:
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.