Напрямки використання транзисторів, страница 7

Високочастона область обмежується частотними властивостями  транзисторів.

Особливості вибору точки спокою в

підсилювачах з польовими транзисторами.

Основні принципи, що розглядались в попередньому параграфі стосовно підсилювачів на біполярних транзисторах, являються справедливими і для підсилювачів на польових транзисторах. На сімейство вихідних характеристик накладаються ті ж обмеження по потужності виділяємій на транзисторі Р_С по максимально допустимому струмі стоку I_СД і максимально допустимій напрузі U_СД.

Схеми включення транзисторів з загальним джерелом, загальним затвором, загальним стоком можуть бути побудовані аналогічно біполярному  транзистору.  Не находить використання лише схема з загальним затвором, так як в ній забезпечується низький вхідний опір.

По такому ж способу визначається лінія навантаження і точка спокою. Величина R_В (рис.3.12) вибирається з

                             Рис.3.12                    дещо інших умов. Це пов’язано з тим, що R_В суттєво впливає на частотні властивості каскаду, тому його з такої точки зору здебільшого необхідно вибирати як можна меншим. Але з іншого боку зниження R_В буде приводити до зниження коефіцієнта підсилення напруги. Рекомендується значення R_В пов’язувати з внутрішнім діференційним опором транзистора   R_В (0,05 – 0,15) r_і.

Забезпечення робочої точки спокою має свої особливості, які залежать від конкретного типу транзистора. Для транзисторів з ізольованим затвором і індуційованим каналом на затвор необхідно подавати позитивну напругу, яка може бути забезпечена за допомогою опорів R₁ – R₂. В інших випадках забезпечення необхідного положення робочої точки спокою досягається дещо іншим шляхом.      Рис.3.13                                                      Розглянемо розв’язання такої задачі

     для транзистора з вмонтованим каналом, або транзистора з  р-n  переходом, сімейство вихідних характеристик якого приведено на рис.3.13,а.

Допустимо, що для забезпечення робочої точки спокою необхідно, щоб між електродами затвор – джерело була напруга –1,5В, (рис.3.13,б). Для забезпечення такої напруги в коло джерела встановлюється резистор R_Д такої величини, щоб виконувалась умова    U_ЗД = I_В*R_Д. Потенціал джерела по відношенню до загальної шини буде мати  +U_ЗД = +1,5В. Так як через затвор струм не протікає, то він не протікає і через резистор Rз, який може бути досить високим. Тому потенціал затвору рівний потенціалу загальної шини і, відповідно, буде мати негативний потенціал по відношенню до електрода - джерела. Таким шляхом забезпечується автоматичне зміщення потенціалу затвору по відношенню до електрода - джерела. Для забезпечення стабільності робочої точки і температурної компенсації використовують іноді і більш складні способи забезпечення необхідного потенціалу затвору.

Вибір робочої точки в підсилювачах потужності.

Підсилювачі, розглянуті в попередньому розділі, і в яких робоча точка виби-рається на середині лінійного відрізка прохідної характеристики називаються однотактними підсилювачами, або підсилювачами класу А. Їх недолік – низь-кий ККД – обумовлює використання інших режимів, при яких режим спокою повинен бути від-сутнім. Одним з таких режимів є режим класу В, який характери-зується тим, що робоча точка ви-бирається в точці Ек (рис.3.14.). В розглядаємому випадку має місце підсилення лише однїєї півхвилі вхідного сигналу. Друга півхвиля                                             повинна підсилю-ватись іншим

                                           Рис.3.14.                                            транзистором.

З діаграми (рис.3.14) знаходиться потужність, що передається  в навантаження

                                        Р_Н=U_КМ*I_КМ/2.

Середнє значення струму, що споживається від джерела живлення

Потужність, що споживається від джерела: