Установление количественных характеристик по данным ИК–спектров затруднительно. Кроме обычного ИКС применяют ИКС МНПВО (метод многократного нарушенного полного внутреннего отражения), ИКФ (метод с Фурье – преобразованием) и ИК ФАС (фотоаккустическая ИКС).
Методики ИКС и КРС взаимно дополняют друг друга, так как КРС связана с изменением низкочастотных (стоксовых) колебаний, которые отвечают другим правилам отбора нежели полосы в ИКС. Например, некоторые группы, С=С, С=S, S –H, хорошо идентифицируются методом КРС, и плохо ИКС. В общем случае методом КРС можно получить более полную информацию, чем при использовании ИКС. Кроме этого, преимуществом КРС является слабое поглощение КР-сигнала в водной среде и стекле, а так же отсутствия требования о прозрачности материала, так как эффект комбинационного рассеивания не обусловлен поглощение излучения.
Первичный ион Ео, М1 Рассеянный ион Е, М1
а) М2
Первичный ион
± hn
Поверхность
1 нм
20 нм
б)
Рис. 2. Процессы лежащие в основе масс – спектроскопии: а) СИР; б) ВИМС.
В качестве бомбардирующих применяются ионы инертных газов (He, Ne, Ar).
СИР обладает наиболее высокой поверхностной чувствительностью по сравнению с другими спектроскопическими методами, так как в процессе отражения низко энергического иона участвуют только атомы самого первого слоя. Глубину исследования можно повысить до трёх монослоёв, повышая энергию воздействия (ВИМС). При этом наблюдается эффект, связанный с перемещением или распылением поверхностных атомов в виде заряженных или нейтральных частиц, молекулярных кластеров, а также с выбросом фотонов или электронов.
Метод ВИМС является единственным методом анализа поверхности материалов, чувствительным к водороду и позволяющим различать изотопы элементов. Недостаток метода - в сильной зависимости чувствительности метода от вида анализируемого элемента.
Методика лазерного микрозондового масс–анализа (ЛАММА) была получена в результате использования лазерной техники в современных масс–спектрометрах. Основное преимущество ЛАММА заключается в высокой точности анализа.
Сравнение описанных выше методов по глубине профилирования представлено на рисунке.
1 мкм 100 нм 10 нм 1 нм
ИК, КР
СИР
ВИМС
РФЭС, ОЭС, УФЭС
Рис. 3. Глубина профилирования материалов при использовании различных спектроскопических методов.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.