высшего профессионального образования
«ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
ПУТЕЙ СООБЩЕНИЯ
МИНИСТЕРСТВА ПУТЕЙ СООБЩЕНИЯ
РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ»
¾¾¾¾¾¾¾¾¾¾¾¾¾¾¾¾¾¾¾¾¾¾¾¾¾¾¾¾¾
РАСЧЕТ
ЭКСПЛУАТАЦИОННОЙ НАДЕЖНОСТИ СЖАТ
Методические указания
к выполнению практической работы
по дисциплине: «Надежность CЖАТ»
САНКТ-ПЕТЕРБУРГ
2004
1 Расчет эксплуатационной надежности СЖАТ
Воздействие различных внешних факторов (ВФ) на устройства и системы ЖАТ в процессе эксплуатации оказывает в целом влияние на надежность и безопасность эксплуатируемых изделий. Особенно критичны к воздействию ВФ изделия, в состав которых входят микроэлектронные и микропроцессорные устройства.
Каждый из ВФ оказывает влияние на надежность изделия в целом и вносит свою долю в окончательное значение эксплуатационной интенсивности отказов. Для оценки (прогнозирования) эксплуатационных интенсивностей отказов электрорадиоизделий (ЭРИ) и радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), являющихся исходными данными при расчетах безотказности проектируемой системы ЖАТ на различных стадиях разработки, используются существующие справочники расчета надежности [1].
Источниками информации для справочника являются количественные данные по интенсивностям отказов изделий электронной техники, определяемые по результатам производственных испытаний на заводах изготовителях, а также испытаний и эксплуатации изделий потребителями.
В общем случае, значения эксплуатационной интенсивности отказов ЭРИ рассчитываются по математическим моделям, имеющим вид:
или (1)
где () – исходная интенсивность отказов типа (группы) ЭРИ, приведенная к условиям:
- электрическая нагрузка, равная номинальной;
- температура окружающей среды t = 25 С˚;
Кi – коэффициенты, учитывающие изменения эксплуатационной интенсивности отказов в зависимости от различных факторов;
n - число учитываемых факторов.
Модели расчета эксплуатационной интенсивности отказов распространяются на период постоянства интенсивности отказов во время эксплуатации аппаратуры.
Коэффициенты моделей условно разделены на две группы:
- первая группа коэффициентов является общей для всех или большинства типов изделий и характеризует режимы и условия их применения, уровень качества производства (см. таблицу 1);
- вторая группа коэффициентов включается в модели конкретных типов ЭРИ и характеризует конструкционные, функциональные и технологические особенности (см. таблицу 2).
Таблица 1
Условные обозначения и названия коэффициентов (составляющих) моделей |
Факторы, учитываемые коэффициентами |
Общие коэффициенты моделей |
|
Кр - коэффициент режима |
величина электрической нагрузки и температура окружающей среды (или корпуса изделия) |
Кпр- коэффициент приемки |
степень жесткости требований к контролю качества и правила приемки РЭА |
Кэ - коэффициент эксплуатации |
степень жесткости условий эксплуатации |
Кам - коэффициент амортизации |
наличие амортизации РЭА |
Ку - коэффициент роста надежности |
предполагаемое снижение интенсивности отказов за счет проведения мероприятий по повышению надежности |
Таблица 2
Условные обозначения |
Факторы, учитываемые коэффициентами |
1 |
2 |
Коэффициенты моделей конкретных классов ЭРИ |
|
Интегральные микросхемы |
|
Ксл |
сложность ИС и температура окружающей среды |
Кv |
снижение электрической нагрузки по напряжению |
Ккорп |
тип корпуса |
Кис |
степень освоенности технологического процесса изготовления ИС |
Полупроводниковые приборы |
|
Кф |
функциональное назначение прибора |
Кд.н |
максимально допустимая (установленная в ТУ) нагрузка по мощности рассеяния (току) |
Кs1 |
отношение рабочего напряжения к максимально допустимому по ТУ |
Кf |
частота и мощность в импульсах СВЧ транзистора |
Конденсаторы |
|
Кс |
величина емкости |
Кп.с |
величина последовательно включенного с оксиднополупроводниковым конденсатором активного сопротивления |
Резисторы |
|
Кr |
величина омического сопротивления |
Км |
величина емкости |
Продолжение таблицы 2
1 |
2 |
Кs1 |
отношение рабочего напряжения к максимально допустимому по ТУ |
Ксл |
количество элементов в схеме для резисторных микросхем |
Кстаб |
стабильность резисторов |
Кпс |
степень освоенности технологического процесса резисторных микросхем |
Ккорп |
вид корпуса резисторных микросхем |
Коммутационные изделия |
|
Кк.к |
количество задействованных контактов |
Кк.с |
количество коммутаций в час |
Соединители |
|
Кк.к. |
количество задействованных контактов |
Кк.с |
количество сочленений-расчленений в течение времени эксплуатации |
Трансформаторы, дроссели, установочные изделия |
|
Кт |
температура окружающей среды |
При расчете суммарной интенсивности отказов аппаратуры применяют дополнительно два коэффициента: Кам- коэффициент, учитывающий наличие амортизации аппаратуры и Кк.обсл. - коэффициент качества обслуживания аппаратуры. Для аппаратуры СЖАТ берется Кам = 0,85 и Кк.обсл.= 0,5.
В настоящее время активно ведутся работы по использованию микроэлектронной, микропроцессорной и компьютерной техники для построения систем ЖАТ: микропроцессорных и компьютерных ЭЦ, многозначной АЛС, микропроцессорных и компьютерных ДЦ, микропроцессорных комплексов горочной автоматики и др. В таких системах уровень надежности системы в целом определяется надежностью используемой элементной базы.
В микроэлектронной и микропроцессорной аппаратуре СЖАТ основной вклад в суммарную интенсивность отказов вносят интегральные микросхемы. Например, в блоках и модулях микропроцессорных АБ на микросхемы с соединениями в виде пайки приходится от 80 до 97 процентов от общей интенсивности отказов, а на полупроводниковые приборы – до 2-3 % [2].
Рассмотрим расчет эксплуатационной интенсивности отказов для интегральных микросхем и различного вида соединений.
2 Расчет надежности интегральных микросхем
Математические модели для расчета эксплуатационной интенсивности отказов отдельных типономиналов интегральных микросхем (ИС) в рабочем режиме приведены в таблице 3.
Таблица 3
Группа изделий |
Вид математической модели |
1 |
2 |
Микросхемы интегральные полупроводниковые цифровые: логические, арифметические, микропроцессоры и микропроцессорные комплекты, программируемые логические матрицы, регистры сдвига, базовые матричные кристаллы и др. |
λэ = λб Ксл Ккорп Кv Кэ Кпр Кис (2) λэ = λбсг Ксл Ккорп Кv Кэ Кпр Кис (3) |
Оперативные запоминающие устройства (ОЗУ) |
λэ = λбсг Ксл Ккорп Кv Кэ Кпр Кис (4) |
Постоянные запоминающие устройства (ПЗУ, ППЗУ, РПЗУ) |
λэ = λбсг Ксл Ккорп Кv Кэ Кпр Кис (5) |
Микросхемы интегральные полу- проводниковые аналоговые |
λэ = λбсг Ксл Ккорп Кv Кэ Кпр Кис (6) |
Микросхемы интегральные гибридные |
λэ = λбсг Ксл Ккорп Кv Кэ Кпр Кис (7) |
В моделях исходная интенсивность отказов типономинала (группы
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.