1. Загальний розділ
1.1 Короткі відомості про прилад Т 115
Тиристори – це ключові|джерельні| напівпровідникові елементи, які можуть знаходитися|перебувати| в одному з двох стійких станів|достатків| - провідному (відкритому|відчиняти|) і непровідному (закритому|зачиняти|). В зворотному напрямку тиристор володіє тільки запираючими властивостями. Тобто тиристор – це керуючий діод.
Рисунок 1.1 – Вольт-амперна характеристика тиристора
На рисунку 1.1 наведено ВАХ тиристора. Вона має кілька ділянок:
між точками 0 і 1 знаходиться ділянка, відповідна до високого опору приладу- пряме запирання. У точці 1 відбувається включення тиристора. Між точками 1 і 2 -перебуває ділянка з негативним диференціальним опором. Ділянка між точками 2 і 3 відповідає відкритому стану (прямій провідності). У точці 2 через прилад протікає мінімальний утримуючий струм. Ділянка між 0 і 4 описує режим зворотного запирання приладу. Ділянка між 4 і 5 - режим зворотного пробою.
Основні параметри тиристора Т115 представлені у таблиці 1.1.
Таблиця 1.1 – Основні параметри тиристора Т115
|
Назва параметру |
Значення параметрів |
||
|
Тип тиристора |
Т115-6,3 |
Т115-10 |
Т115-16 |
|
Максимально допустимий середній струм у відкритому стані, А, при Тк=75С |
6,3 |
10 |
16 |
|
Імпульсна напруга, що повторюється, у закритому стані, імпульсна зворотна напруга, що повторюється, В |
200(2); 400(4); 500(5); 600(6); 800(8); 900(9); 1000(10); 1100(11); 1200(12) |
||
|
Критична швидкість зростання струму у відкритому стані, А/мкс |
20(1); 50(2); 100(3); 200(4); 320(5); 500(6) |
||
|
Імпульсна напруга, що не повторюється, у закритому стані, імпульсна зворотна напруга, що не повторюється, В |
225; 450; 560; 670; 900; 1000; 1100; 1200; 1300 |
||
|
Імпульсна напруга у відкритому стані, В не більше |
1,80 |
1,75 |
1,70 |
|
Ударний струм, що не повторюється в закритому стані, А, при максимально допустимою температурі переходу |
90 |
130 |
200 |
|
Імпульсна напруга, що повторюється, у закритому стані, імпульсна зворотна напруга, що повторюється, В, не більше при температурі 25С при температурі 125С |
1,7 2,5 |
||
|
Відмикаючий постійний струм управління, мА, не більше при температурі 25С при температурі 40С |
45 120 |
||
|
Відмикаючий постійна напруга управління, В, не більше при температурі 25С при температурі 40С |
2,5 3,5 |
||
|
Тепловий опір переход-корпус, С/Вт, не більше |
3,00 |
2,50 |
1,90 |
Продовження таблиці 1.1
|
Назва параметру |
Значення параметрів |
|
Критична швидкість зростання струму у відкритому стані, А/мкс |
100 |
|
Струм утримання, мА |
70 |
|
Електрична міцність ізоляції між беспотенциальним підставою тиристора і його виводами, В |
2500 |
|
Опір ізоляції між беспотенциальною основою тиристора і його виводами, МОм, не більше при нормальних кліматичних умовах при підвищеної вологості повітря |
30,0 3,0 |
|
Температура перехода, С, максимальна мінімальна |
125 -40 |
Габаритні розміри тиристора Т115 представлено на рисунку 1.2
Рисунок 1.2 – Габаритні розміри тиристора Т 115
А – область контролю температури корпуса тиристора
1.2 Основні етапи процесу фотолітографії
Створення фоторезистивного шару на поверхні підкладки.
Підготовка поверхні повинна забезпечити високу чистоту і осущеність, забезпечує якісне нанесення фоторезистивного шару, його адгезію і стійкість до дії агресивних речовин.
Нагрівання пластин до нульової точки дозволяє вилучити більшу частину адсорбованої вологи, а короткочасна обробка при температурі до 100 ºС змінює стан і хімічні властивості поверхні окисної плівки.
Металеві плівки алюмінію підлягають обробці у 18 % розчині тринатрій фосфату, потім у 35% розчині HNO3 з наступною промивкою деіонізованою водою і сушкою у термостаті. При проведені фотолітографії по шару БСС чи ФСС проводять випал при температурі 1000 – 1200 ºС у атмосфері сухого кисню в результаті чого на поверхні пластин створюється гідрофобний шар окислу.
Наступним етапом є нанесення шару фоторезиста. Властивості фоторезистивних плівок визначається не тільки складом фоторезиста, але й методом його формування.
Вимоги до операції нанесення фоторезиста:
- можливість формування бездефектних плівок контролюємої відтворювальної товщини.
- реалізація поширеного діапазону товщин покрить.
- формування плівок з високого рівномірністю за товщиною при обов’язковому зменшенні бортика, який створюється на периферійній частині пластини.
- створення покрить, які володіють максимальною адгезією до поверхні пластини.
Існують такі методи нанесення фоторезисту:
1. центрифугування
2. пульверизація
3. накатка (для плівкових фоторезистів)
Найбільше поширення у промисловості отримав метод центрифугування. Перед нанесенням фоторезист підлягає обов’язковій фільтрації крізь фільтри глибокої очистки, з цією метою використовують фільтри з d=14 – 0,2 мкм.
Фільтрація проводиться в 2 стадії:
1. вилучення відносно величини часток під тиском в атмосфері сухого азоту.
2. під тиском з використанням фільтрів з порами d ≈ 1 мкм.
Установка має автоматичне дозування фоторезисту, яке забезпечує рівномірність плівки фоторезисту за товщиною.
При обертанні центрифуги фоторезист за рахунок центробіжних сил розтікається, а на поверхні залишається шар з визначеною товщиною.
де А – коефіцієнт пропорційності, який залежить від складу фоторезисту, А = 10-2 ;
γ – динамічна в’язкість фоторезисту;
ω – кутова швидкість центрифуги.
Для змінення товщини шару змінюють в’язкість фоторезисту, тонке регулювання товщини досягається підбором кутової швидкості, яке знаходиться в межах 2000 – 10000 об./хв.
Пульверизація – найбільш гнучкий метод. Сутність методу полягає у диспергуванні фоторезиста, стисненим повітрям і нанесенні його на пластину у вигляді дисперсійного аерозолю.
Перевагою є можливість формування покриття у великому інтервалі площин з достатньо високим відтворювальним і не великим розкидом за товщиною
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.
