Розрахунок дифузійної структури приладу Т-122

    2.2 Розрахунок дифузійної структури приладу Т-122

     Для створення напівпровідникової с структури приладу Т-122 процес дифузії використовується двічі.

     Перша дифузія – дифузія акцепторної домішки Al+B в результаті чого створюється трьохшарова структура типу р-n-p.

   Друга дифузія, дифузія фосфору, в результаті якої строюється n-емітер.

     Вихідні дані для проведення розрахунку надано в таблиці №

      Таблиця  -- вихідні дані

      Визначаемо глибину залягання p-n переходу у випадку дифузію акцепторної домішки.

      Визначаємо коефіцієнт дифузії алюмінію в кремнії при температурі Т=1259C (додаток А, рис А1)

     D=4*10 см/с

     Значення концентрації домішки у вихідній пластині знаходимо, користуючись залежністю питомого опору від концентрації (додаток А, рис А2)

     С=0.9*10 см

     Концентрацію алюмінію на поверхні пластини при  Т=1250С знаходимо з   температурної залежністі розчинності деяких елементів в кремнії (додаток А, рисункок А3). 

     С =1.8*10см

     Глибина залягання p-n переходу визначається за формулою , , мкм

Визначаємо коефіцієнт дифузії фосфору при Т=1210С (додаток А, рис А1)

      D=3*10 см/с

       Концентрації фосфору на поверхні пластини користуючись залежністю деяких елементів в кремнії (додаток А, рис А3)

     С=0.8*10 см

Глибина залягання р-n-переходу розраховується за формулою, , мкм