В РЖ «Электроника и ее применение» имеется 5 разделов:
А - Электровакуумные и газоразрядные приборы и устройства;
Б - Полупроводниковые приборы;
В - Оптоэлектронные приборы;
Г - Материалы для электроники;
Д - Квантовая электроника. Криоэлектроника. Голография.
Код ссылки состоит из двух чисел, разделенных буквой, и дополнительного расширения:
Д - диссертация;
Деп - депонированная рукопись;
К - книга;
П - патент.
Например, 6Г226 означает, что реферат статьи опубликован в 6-м номере в разделе Г под номером 226.
2 Периодические издания (отдел периодики библиотеки НГТУ l-103)
· Физика и техника полупроводников;
· Физика твердого тела;
· Письма в журнал экспериментальной и прикладной физики;
· Электроника.
1. http://www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/ Физико-технический институт им. Иоффе (большая база данных по свойствам полупроводников (на английском языке), полнотекстовые статьи из ведущих отечественных журналов в форматеPDF) (на русском языке)) Фрагмент базы данных по полупроводникам находится на диске S:\doro\ioffe…\semicond\index.htm
1. Для несимметричного p+n перехода определить, какими носителями в основном определяется ток насыщения?
2. Как изменится прямой ток через p-n переход при увеличении концентрации примеси?
3. В каком несимметричном переходе p+n или n+p ,будет больше обратный ток при одинаковых концентрациях в базовых и, соответственно, в эмиттерных областях?
4. Как изменится потенциальный барьер p-n перехода при увеличении концентрации примеси?
5. Как изменится потенциальный барьер p-n перехода при увеличении температуры?
6. P-n переход имеет концентрации примесей Na=1016, Nd=3*1016. Как соотносятся размеры |Xn| и |Xp|?
7. Какими носителями заряда образована область пространственного заряда в p-n переходе в состоянии термодинамического равновесия, если примеси полностью ионизированы?
8. Как изменится обратный ток идеального p-n перехода при уменьшении температуры?
9. P-n переход состоит из однородно легированных областей с равными геометрическими размерами и одинаковым удельным сопротивлением. Как соотносятся электронная (Jn) и дырочная (Jp) составляющие плотности электрического тока при прямом смещении?
10. Какие параметры полупроводникового p-n перехода увеличиваются с ростом температуры?
11. Как изменяется напряженность электрического поля в обратно смещенном p-n переходе в зависимости от приложенного напряжения?
12. К несимметричному p-n переходу с концентрацией примесей Nd>>Na приложено обратное напряжение. Указать составляющую тока, которая будет наибольшей при этих условиях.
13. .Как изменится емкость p-n перехода, если увеличить уровень легирования p- и n-областей?
14. Записать ток через p-n переход в состоянии термодинамического равновесия. Чему он равен ?
15. Какие носители заряда преобладают в токе насыщения обратно смещенного p-n перехода, если концентрация доноров в n-области много больше концентрации акцепторов в p-области?
16. Как связаны прямое напряжение на p-n переходе и ток насыщения?
17. Какие носители заряда преобладают в токе насыщения обратно смещенного p-n перехода, если концентрация акцепторов в p-области много больше концентрации доноров в n-области?
18. Нарисовать качественно прямую ветвь ВАХ полупроводникового диода, изготовленного из Si (Eg=1,12 эВ), Ge (Eg=0,67 эВ), GaAs (Eg=1,42эВ), GaP (Eg=2,24 эВ) при прочих равных условиях.
19. Как и по каким причинам изменяется прямая ветвь вольтамперной характеристики диода с увеличением его температуры?
20. Перечислите и объясните отличия в свойствах и параметрах кремниевых и германиевых выпрямительных диодов.
21. Как образуется область пространственного заряда?
22. Какие параметры полупроводникового диода могут измениться при изменении структуры с p+n на n+p при сохранении уровней легирования эмиттерной и базовой областей?
23. P-n переход выполнен точно посередине полупроводника постоянного сечения. Концентрация акцепторов Nа в 10 раз превышает концентрацию доноров Nd? При каких условиях сопротивление p- области может быть выше, чем сопротивление n- области?
24. Доказать
соотношение для коэффициента инжекции перехода 
25.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.