№ варианта |
Полупроводник |
Концентр. акцептор. Na, см-3 |
Концентр. доноров, Nd, см-3 |
Площадь. p-n перехода., А, мм2 |
Диффуз. длина, Lp, мкм |
Диффуз. длина, Ln, мкм |
Время жизни, tp, мкс |
Время жизни, tn, мкс |
расчет |
расчет |
1. |
Si (кремний) |
5×1017 |
5×1016 |
1·10-2 |
1000 |
800 |
||||
2. |
Si (кремний) |
5×1016 |
5×1017 |
2·10-2 |
10 |
10 |
||||
3. |
Ge (германий) |
1×1017 |
1×1016 |
3·10-2 |
800 |
800 |
0.547 |
0.34 |
||
4. |
Ge (германий) |
1×1016 |
1×1017 |
4·10-2 |
1000 |
1000 |
||||
5. |
GaAs (арсенид галлия) |
1×1018 |
1×1017 |
5·10-2 |
70 |
10 |
0.071 |
0.505 |
||
6. |
GaAs (арсенид галлия) |
1×1017 |
1×1018 |
6·10-3 |
3 |
5×10-3 |
||||
7. |
GaP (фосфид галлия) |
2×1016 |
2×1015 |
7·10-2 |
20 |
7 |
0.79 |
083 |
||
8. |
GaP (фосфид галлия) |
2×1015 |
2×1016 |
8·10-2 |
1 |
0.1 |
||||
9. |
GaSb (антимонид галлия) |
5×1017 |
5×1016 |
9·10-2 |
0.1 |
1 |
||||
10. |
GaSb (антимонид галлия) |
5×1016 |
5×1017 |
1·10-1 |
0.1 |
1 |
||||
11. |
InSb (антимонид индия) |
2×1016 |
2×1015 |
1·10-2 |
0.05 |
0.05 |
||||
12. |
InSb (антимонид индия) |
2×1015 |
2×1016 |
9·10-2 |
0.05 |
0.05 |
||||
13. |
InAs (арсенид индия) |
4×1017 |
4×1016 |
8·10-2 |
20 |
60 |
||||
14. |
InAs (арсенид индия) |
4×1016 |
4×1017 |
7·10-2 |
3 |
0.03 |
||||
15. |
InP (фосфид индия) |
5×1017 |
5×1016 |
6·10-2 |
8 |
40 |
0.08 |
0.592 |
||
16. |
InP (фосфид индия) |
5×1016 |
5×1017 |
5·10-2 |
3 |
0.002 |
1. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. В 2х книгах. Пер. с англ. -2-е перераб. изд. - М.: Мир, 1984.
2. Маллер Р., Кейминс,Т. Элементы интегральных схем. М.:Мир,1989
3. Пасынков В,В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. М.:Высшая школа, 1987
4. Росадо Л. Физическая электроника и микроэлектроника. М.:Высшая шола, 1991
5. Шур М. Физика полупроводниковых приборов. В 2х книгах. Пер. с англ - М.: Мир, 1992.
6. Таблицы физических величин. Под ред. И.К. Кикоина, М:Атомиздат, 1976.
7. Физические величины. Справочник/ А.П. Бабичев, Н.А. Бабушкина, А.М. Братковский и др.; Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейликова. –М:; Энергоатомиздат, 1991. –1232 с.
8. Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника. Свойства материалов/ Справочник; -Киев: Наукова думка, 1975, 704 с.
9. К.С. Петров. Радиоматериалы, радиокомпоненты и электроника. –Питер: 2003.
1 Реферативные журналы (РЖ) «Электроника и ее применение», «Физика». РЖ можно найти в отделе библиотеки НГТУ (2 корпус к.502). Реферативные журналы выходят ежемесячно и дополняются ежегодно предметным указателем (ПУ) и авторским указателем (АУ). Предметные указатели формируются на основе ключевых слов и устойчивых словосочетаний. Некоторые предметные указатели, например «ПУ РЖ Электроника «Электроника и ее применение», имеют дополнительно формульный указатель, позволяющий найти необходимые литературные источники по химической формуле вещества.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.