| № варианта | Полупроводник | Концентр. акцептор. Na, см-3 | Концентр. доноров, Nd, см-3 | Площадь. p-n перехода., А, мм2 | Диффуз. длина, Lp, мкм | Диффуз. длина, Ln, мкм | Время жизни, tp, мкс | Время жизни, tn, мкс | 
 расчет | 
 расчет | 
| 1. | Si (кремний) | 5×1017 | 5×1016 | 1·10-2 | 1000 | 800 | ||||
| 2. | Si (кремний) | 5×1016 | 5×1017 | 2·10-2 | 10 | 10 | ||||
| 3. | Ge (германий) | 1×1017 | 1×1016 | 3·10-2 | 800 | 800 | 0.547 | 0.34 | ||
| 4. | Ge (германий) | 1×1016 | 1×1017 | 4·10-2 | 1000 | 1000 | ||||
| 5. | GaAs (арсенид галлия) | 1×1018 | 1×1017 | 5·10-2 | 70 | 10 | 0.071 | 0.505 | ||
| 6. | GaAs (арсенид галлия) | 1×1017 | 1×1018 | 6·10-3 | 3 | 5×10-3 | ||||
| 7. | GaP (фосфид галлия) | 2×1016 | 2×1015 | 7·10-2 | 20 | 7 | 0.79 | 083 | ||
| 8. | GaP (фосфид галлия) | 2×1015 | 2×1016 | 8·10-2 | 1 | 0.1 | ||||
| 9. | GaSb (антимонид галлия) | 5×1017 | 5×1016 | 9·10-2 | 0.1 | 1 | ||||
| 10. | GaSb (антимонид галлия) | 5×1016 | 5×1017 | 1·10-1 | 0.1 | 1 | ||||
| 11. | InSb (антимонид индия) | 2×1016 | 2×1015 | 1·10-2 | 0.05 | 0.05 | ||||
| 12. | InSb (антимонид индия) | 2×1015 | 2×1016 | 9·10-2 | 0.05 | 0.05 | ||||
| 13. | InAs (арсенид индия) | 4×1017 | 4×1016 | 8·10-2 | 20 | 60 | ||||
| 14. | InAs (арсенид индия) | 4×1016 | 4×1017 | 7·10-2 | 3 | 0.03 | ||||
| 15. | InP (фосфид индия) | 5×1017 | 5×1016 | 6·10-2 | 8 | 40 | 0.08 | 0.592 | ||
| 16. | InP (фосфид индия) | 5×1016 | 5×1017 | 5·10-2 | 3 | 0.002 | 
| 
 | 
 | 
1. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. В 2х книгах. Пер. с англ. -2-е перераб. изд. - М.: Мир, 1984.
2. Маллер Р., Кейминс,Т. Элементы интегральных схем. М.:Мир,1989
3. Пасынков В,В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. М.:Высшая школа, 1987
4. Росадо Л. Физическая электроника и микроэлектроника. М.:Высшая шола, 1991
5. Шур М. Физика полупроводниковых приборов. В 2х книгах. Пер. с англ - М.: Мир, 1992.
6. Таблицы физических величин. Под ред. И.К. Кикоина, М:Атомиздат, 1976.
7. Физические величины. Справочник/ А.П. Бабичев, Н.А. Бабушкина, А.М. Братковский и др.; Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейликова. –М:; Энергоатомиздат, 1991. –1232 с.
8. Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника. Свойства материалов/ Справочник; -Киев: Наукова думка, 1975, 704 с.
9. К.С. Петров. Радиоматериалы, радиокомпоненты и электроника. –Питер: 2003.
1 Реферативные журналы (РЖ) «Электроника и ее применение», «Физика». РЖ можно найти в отделе библиотеки НГТУ (2 корпус к.502). Реферативные журналы выходят ежемесячно и дополняются ежегодно предметным указателем (ПУ) и авторским указателем (АУ). Предметные указатели формируются на основе ключевых слов и устойчивых словосочетаний. Некоторые предметные указатели, например «ПУ РЖ Электроника «Электроника и ее применение», имеют дополнительно формульный указатель, позволяющий найти необходимые литературные источники по химической формуле вещества.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.