Расчет параметров идеального p-n перехода, страница 2

№ варианта

Полупроводник

Концентр. акцептор. Na, см-3

Концентр. доноров,

Nd, см-3

Площадь. p-n перехода.,

А, мм2

Диффуз. длина,

Lp, мкм

Диффуз. длина,

Ln, мкм

Время жизни,

tp, мкс

Время жизни,

tn, мкс

расчет

расчет

1.   

Si (кремний)

5×1017

5×1016

1·10-2

1000

800

2.   

Si (кремний)

5×1016

5×1017

2·10-2

10

10

3.   

Ge (германий)

1×1017

1×1016

3·10-2

800

800

0.547

0.34

4.   

Ge (германий)

1×1016

1×1017

4·10-2

1000

1000

5.   

GaAs (арсенид галлия)

1×1018

1×1017

5·10-2

70

10

0.071

0.505

6.   

GaAs (арсенид галлия)

1×1017

1×1018

6·10-3

3

5×10-3

7.   

GaP (фосфид галлия)

2×1016

2×1015

7·10-2

20

7

0.79

083

8.   

GaP (фосфид галлия)

2×1015

2×1016

8·10-2

1

0.1

9.   

GaSb (антимонид галлия)

5×1017

5×1016

9·10-2

0.1

1

10.   

GaSb (антимонид галлия)

5×1016

5×1017

1·10-1

0.1

1

11.   

InSb (антимонид индия)

2×1016

2×1015

1·10-2

0.05

0.05

12.   

InSb (антимонид индия)

2×1015

2×1016

9·10-2

0.05

0.05

13.   

InAs (арсенид индия)

4×1017

4×1016

8·10-2

20

60

14.   

InAs (арсенид индия)

4×1016

4×1017

7·10-2

3

0.03

15.   

InP (фосфид индия)

5×1017

5×1016

6·10-2

8

40

0.08

0.592

16.   

InP (фосфид индия)

5×1016

5×1017

5·10-2

3

0.002


Пример оформления графиков

Литература

1.  Зи С. Физика  полупроводниковых приборов. В 2х книгах. Пер. с англ. -2-е перераб. изд. - М.: Мир, 1984.

2.  Маллер Р., Кейминс,Т. Элементы интегральных схем. М.:Мир,1989

3.  Пасынков В,В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. М.:Высшая школа, 1987

4.  Росадо Л. Физическая электроника и микроэлектроника. М.:Высшая шола, 1991

5.  Шур М. Физика  полупроводниковых приборов. В 2х книгах. Пер. с англ - М.: Мир, 1992.

6.  Таблицы физических величин. Под ред. И.К. Кикоина, М:Атомиздат, 1976.

7.  Физические величины. Справочник/ А.П. Бабичев, Н.А. Бабушкина, А.М. Братковский и др.; Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейликова. –М:; Энергоатомиздат, 1991. –1232 с.

8.  Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника. Свойства материалов/ Справочник; -Киев: Наукова думка, 1975, 704 с.

9.  К.С. Петров. Радиоматериалы, радиокомпоненты и электроника. –Питер: 2003.

Дополнительная литература

1  Реферативные журналы (РЖ) «Электроника и ее применение», «Физика».  РЖ можно найти в отделе  библиотеки НГТУ (2 корпус к.502). Реферативные журналы выходят ежемесячно и дополняются  ежегодно предметным указателем (ПУ) и авторским указателем (АУ). Предметные указатели формируются на основе ключевых слов и устойчивых  словосочетаний. Некоторые предметные указатели,  например  «ПУ РЖ Электроника «Электроника и ее применение», имеют дополнительно формульный  указатель,  позволяющий найти необходимые литературные источники по химической формуле вещества.