3.2.2 Определение температуры и времени маскирующего окисления.
Для окисления во влажном кислороде снимается семейство кривых, аналогичное полученному в предыдущем разделе. В связи с тем, что режим – комбинированный (15 мин. в сухом, остальное во влажном), в качестве начальной толщины при влажном окислении следует закладывать толщину окисла (разброс ± 10 %), получаемого за 15 мин., в сухом кислороде - воспользоваться результатами предыдущего раздела. При снятии кривых используется методика, приведенная в предыдущем разделе. Время окисления, необходимое для получения заданной толщины, определяется из графика, для каждой из используемых температур.
3.2.3 Выбор оптимальной температуры.
Критерии выбора оптимальной температуры уже обсуждались в начале раздела 3.2. При учете маскирующего окисления следует использовать суммарное время окисления в сухом и влажном кислороде.
3.2.4 Экспериментальная проверка выбранного режима окисления.
3.2.4.1. Проводятся рабочие процессы окисления для получения подзатворного и маскирующего окислов.
3.2.4.2. Определяется процент выхода годных, даются рекомендации по возможному повышению за счет уменьшения разбросов основных параметров технологического процесса; рекомендации должны подтверждаться экспериментально, для чего следует провести рабочие процессы с меньшими разбросами по температуре, времени и парциальному давлению окислителя.
4. Варианты заданий.
Варианты заданий приведены в таблице:
Параметр |
Вариант задания |
|||||||
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
|
Ориентация подложки |
111 |
111 |
100 |
100 |
111 |
111 |
100 |
100 |
Толщина окисла под затвор, нм |
60±3 |
60±3 |
70±3 |
80±3 |
50±3 |
70±4 |
70±4 |
80±5 |
Толщина маскирующего окисла, нм |
600±40 |
500±40 |
600±30 |
500±30 |
600±40 |
800±40 |
700±40 |
800±40 |
Диапазон температур, °С |
1000¸ 1100 ±10 |
1000¸ 1100 ±10 |
1050¸ 1150 ±10 |
1000¸ 1100 ±10 |
1050¸ 1150 ±10 |
1050¸ 1150 ±10 |
1050¸ 1150 ±10 |
1050¸ 1150 ±10 |
Количество операций маскирующего окисления |
4 |
5 |
4 |
3 |
4 |
6 |
5 |
4 |
Парциальное давление паров воды, Па |
60000 ± 10000 |
80000 ± 10000 |
70000 ± 10000 |
70000 ± 10000 |
80000 ± 10000 |
60000 ± 10000 |
70000 ± 10000 |
85000 ± 10000 |
Примечание: 1. Все размеры вводить в мкм (1 нм = 10-3мкм).
2. Суммарное
давление кислорода и паров воды 105 Па.
3. Разброс парциального давления O2
и H2O ± 10000 Па.
5. Содержание отчета.
A. Результаты
работы по выбору температуры и времени окисления под затвор и маскирующего и
подтверждающие материалы:
- графики - для окисления в сухом кислороде при трех
температурах; - для окисления во влажном
кислороде; на графиках и нанести
пунктиром аппроксимирующую кривую: , постоянную определить из экспериментальных данных;
- обоснование выбора оптимальной температуры – привести значения суммарного
выхода годных для разных температур;
- выбранные режимы (температура и время окисления) для окисла под затвор и
маскирующего.
B. Результаты
проведения рабочих процессов в выбранном режиме:
- средняя скорость роста, средняя толщина, процент выхода годных (на операциях
окисления под затвор и маскирующего);
- гистограммы разброса по толщине – для обоих процессов;
- рекомендации по повышению выхода годных на каждой операции.
6. Контрольные вопросы.
1. Основные положения модели Дила-Гроува для окисления кремния.
2. Использование двуокиси кремния в технологии изготовления ИС.
3. Характеристика потоков .
4. Влияние кристаллографической ориентации кремния на скорость окисления.
5. Сравнительная качественная и количественная характеристика процессов окисления в сухом и влажном кислороде.
6. Влияние давления окислителя на скорость окисления.
7. Критерий оптимизации режима.
Список литературы.
1. Технология СБИС / Под ред. С.Зи. – М.: Мир, 1986. - С.404.
2. МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов / Под ред. П.Антонетти. - М.: Мир, 1988. - С.496.
3. Бубенников
А.Н. Моделирование интегральных микротехнологий, приборов и схем. – М.: Высшая
школа, 1989. – С.320.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.