Для атома водорода поправка к гамильтониану порядка :
;
Первый член – релятивистская зависимость энергии от импульса.
Второй – спин-орбитальное взаимодействие. Его можно представить в виде:
Среднее значение оператора можно найти из нерелятивистского УШ:
(Ландау стр.150)
__ _______________
,
где - энергия невозмущенного уровня.
Учет только релятивистской зависимости энергии приводит к добавке:
,
где - постоянная Ридберга, - постоянная тонкой структуры.
Спин-орбитальное взаимодействие вносит добавку энергии:
Здесь использовано :
В результате для S = 1/2 и L = J ± 1/2 полная энергия уровня равна (тонкая структура)
Последовательность уровней атома H с учетом тонкой структуры:
подчеркнутые термы остаются вырожденными в рамках модели релятивистских поправок. Их вырождение снимается в результате учета радиационных поправок (лэмбовский сдвиг).
Пример тонкого расщепления уровней для линии Нα приведен на диаграмме Гротриана для водорода
Для атома с числом электронов N энергия спин - орбитального взаимодействия равна:
,
.
.
Мультиплетное расщепление:
Таким образом, в результате релятивистских эффектов уровень с данными значениями L и S расщепляется на ряд уровней с различными значениями J. Об этом расщеплении говорят как о тонкой структуре или мультиплетном расщеплении уровня.
Уровень с данным L и S расщепляется на 2S+1 (при L>S) или на 2L+1 (при S>L) подуровней. Каждый из этих уровней остается вырожденным относительно направления , т.е. 2J+1 раз.
Сравнение электростатического и электромагнитного взаимодействий в атоме на примере Cr.3+ (3d3 )
Правило интервалов Ланде: расстояние между соседними подуровнями с различными J равно
,
Пример: терм 5DJ (S = 2 и L = 2, J = 0, 1,2, 3, 4).
Интервалы относятся:
; ; .
Сравнение с экспериментом:
правило интервалов для атомов Mg, Ca, Sr, Zn, выполняется с точностью до 2,5 %, тогда как для тяжелых элементов, например Hg, точность уменьшается до ~ 30% .
Приближение центрально-симметричного поля в сложном атоме (одноэлектронное приближение)
Электростатическое взаимодействие электронов учитывается усредненным центрально-симметричным хартри-фоковским полем:
,
Zэф(r) – эффективный заряд ядра действующий на электрон на расстоянии r.
Два принципа построения электронных оболочек
принцип Паули: только один электрон в (n, , , ms)- состоянии
принцип минимума энергии: из возможных состояний осуществляется состояние с минимальной энергией.
Энергия электрона (!) в атоме определяется: (Ельяшевич,194 и далее)
· зарядом ядра Z – энергия понижаются с ростом Z
· главным квантовым числом n– энергия связи уменьшается с ростом n
· орбитальным моментом – энергия связи растет с уменьшением при заданном n (проникающие орбиты).
· взаимодействием электронов в подоболочке – при данном энергия связи растет для различных (орбиты пространственно разнесены)- правило Хунда (Бейзер, 209)
Последовательность заполнения оболочек
1s, 2s, 2p, 3s, 3p, 4s, 3d, 4p, 5s, 4d, 5p, 6s, 4f, 5d, 6p, 6d, 7s.
Максимальное число электронов в оболочке и подоболочке с данными n,
, , →
Оболочка |
n |
Максимальное число электронов в подоболочке |
Всего электронов в оболочке |
||||
s |
p |
d |
f |
g |
|||
К |
1 |
2 |
2 |
||||
L |
2 |
2 |
6 |
8 |
|||
M |
3 |
2 |
6 |
10 |
18 |
||
N |
4 |
2 |
6 |
10 |
14 |
32 |
|
O |
5 |
2 |
6 |
10 |
14 |
18 |
50 |
Зависимости энергий связи электронов от Z, n и
|
1s электрона атома H (Z = 1) – эффект увеличения Z .
Li – Z = 3, третий электрон в 2s –состоянии, 5,4 эВ – эффект влияния n.
|
При заданном Z и n оболочка с меньшим расположена глубже, то есть s глубже р и т.д. эффект понижения
Однако с ростом Z энергия связи атомов растет (т.е. эффект Z преобладает).
|
Такая картина заполнения электронных оболочек характерна для всей последовательности элементов, однако влияние в тяжелых атомах становится существеннее.
Потенциал ионизации
1 kJ/mol = .010364 eV/atom
Таблица Менделеева (1869)
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.