Ом. |
(6) |
8.Рассчитываем значения разделительных емкостей по входу СРВХ и выходу СРВЫХ, которые необходимы для предотвращения попадания постоянного тока смещения на предыдущий и последующий каскады. Из двух полученных значений выбираем наибольшее:
Ф; |
(7) |
Ф; |
(8) |
Ом. |
(9) |
9.Рассчитываем значения крутизны характеристики транзистора S0 и каскада в целом S, используя основное уравнение стокозатворной характеристики:
А/В; |
(10) |
А/В. |
(11) |
10.Рассчитываем значения коэффициентов усиления:
; |
(12) |
. |
(13) |
Выбор элементной базы сделан в соответствии с номинальным рядом Е96, имеющим 2% допуск. После электронного моделирования схемы в САПР EWB видим, что 2% допуск элементов полностью удовлетворяет заданной точности. Выбираем именно этот ряд потому, что он является сравнительно «дешевым» из номинальных рядов, удовлетворяющих нашему заданию.
Таблица 1.1 – Номинальные значения резисторов и конденсаторов
Резисторы |
|||||
Обозначение |
Значение, кОм |
Номинал в соответствии с рядом Е96 |
Допуск,% |
ТКС, ´10-6 |
Модель |
R1 |
25,500 |
25,000 |
±2 |
±500 |
ОМЛТ |
R2 |
7,650 |
7,680 |
±2 |
±500 |
ОМЛТ |
R3 |
0,186 |
0,187 |
±2 |
±500 |
ОМЛТ |
R4 |
0,870 |
0,880 |
±2 |
±500 |
ОМЛТ |
R5 |
1006,000 |
1000,00 |
±2 |
±500 |
ОМЛТ |
R6 |
1,430 |
1,430 |
±2 |
±500 |
ОМЛТ |
R7 |
21,900 |
22,100 |
±2 |
±500 |
ОМЛТ |
Rn |
7,000 |
7,150 |
±2 |
±500 |
ОМЛТ |
Конденсаторы |
|||||
Обозначение |
Значение, мкФ |
Номинал в соответствии с рядом Е96 |
Допуск,% |
ТКЕ |
Модель |
C1 |
4,50 |
4,53 |
±2 |
-220 |
К10-17 |
C2 |
30,30 |
30,10 |
±2 |
-220 |
К10-17 |
C3 |
5,00 |
5,11 |
±2 |
-220 |
К10-17 |
С4 |
100,00 |
100,00 |
±2 |
-220 |
К10-17 |
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.