Последовательно включенные конденсатор С1 и эмиттерный переход транзистора VT2 имеют существенно меньшее сопротивление для скачка тока коллектора, чем резистор RK1. Поэтому практически весь нарастающий ток протекает через эмиттерный переход транзистора VT2 навстречу его базовому току, вызывая быстрое рассасывание заряда в базе. В результате транзистор VT2 переходит в активный режим. Происходит лавинообразное опрокидывание схемы, завершающееся насыщением транзистора VTl; транзистор VT2 оказывается в режиме отсечки. Мультивибратор переходит во временно устойчивое состояние.
 |
После того как транзистор VTI перешел в режим насыщения, а транзистор VT2 - в режим отсечки, ток в цепи коллектора VT2 практически равен нулю, поэтому после окончания заряда конденсатора С2 напряжение на коллекторе транзистора VT2 определяется делителем напряжения RK2R:
Практически такую же величину имеет амплитуда импульса Um на коллекторе транзистора VT2.
После лавинообразного опрокидывания схемы транзистор VTI оказывается в режиме насыщения, т.е. потенциал левой обкладки скачком изменяется от uК1 = E0 практически до нуля. Однако за время опрокидывания конденсатор почти не разряжается, т.е. разность потенциалов между его обкладками остается прежней. Следовательно, потенциал правой обкладки, до опрокидывания практически равный нулю, станет близким к –E0. Этот отрицательный потенциал, приложенный к базе транзистора VT2, удерживает его в режиме отсечки в течение всего временно устойчивого состояния. Транзистор VT2 на это время можно мысленно исключить из схемы рисунка 1. Сделав это, нетрудно заметить, что правая (отрицательно заряженная) обкладка конденсатора С1 через резистор RБ2 подключена к положительному полюсу источника питания. Начинается перезаряд конденсатора С1 по экспоненциальному закону от источника питания через резистор RБ2 и эмиттерный переход насыщенного транзистора VTI. Напряжение на правой обкладке, соединенной с базой транзистора VT2, начинает возрастать с постоянной времени t2=RБ 2C1 от начального значения uБ2= E0. Экспонента заряда конденсатора стремится к +Eo, однако в момент t2 этот процесс прекращается, так как напряжение uБ2 несколько превышает нулевое значение и транзистор VT2 открывается. Его рабочая точка оказывается в активной области, развивается лавинообразный процесс обратного опрокидывания, в результате которого транзистор VT2 переходит в режим отсечки, а транзистор VTI - в режим насыщения. Схема вновь возвращается в постоянно устойчивое состояние.
Длительность генерируемого импульса TИ определяется скоростью перезарядки конденсатора С1. Считая, что при перезарядке изменение напряжения на базе транзистора VT2 начинается практически с уровня –E0 и экспоненциально стремится к +E0 с постоянной времени t2=RБ2C1 , закон изменения напряжения на базе транзистора VT2можно записать в виде
.
Обратное опрокидывание происходит в момент времени t=t2 когда транзистор VT2 открывается, при этом напряжение uБ2(t2) близко к нулю. Обозначив временной интервал TИ=t2-t1, получим, что длительность генерируемого импульса
прямо пропорциональна RБ2 и С1, в связи с чем эти элементы обычно называют времязадающими.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.