Электротехника \ Схемотехника

Разработка ядра микроЭВМ (процессорный модуль Am29C01, 16 бит), страница 4

Расчетное время цикла МУУ = 95 нс. Время цикла ОБ = 98.2 нс. При времени такта, равным 100 нс. Выполняется согласование длительности циклов ОБ и МУУ, поэтому время цикла примем равным 100 нс.

6. Разработка памяти

6.1 Компоновка структуры памяти

В соответствии с индивидуальными данными память состоит из:

ОЗУ SRAM – 16K и ПЗУ EEPROM – 4K, с возможностью электрического стирания информации. Но, из-за безрезультатных поисков, микросхем памяти EEPROM, удовлетворяющих временным параметрам разрабатываемой структуры, пришлось остановить выбор на микросхеме Flash памяти большего объема, которая, также, позволяет электрически стирать информацию, а объем памяти превышающий заданный, можно использовать для расширения памяти.

ОЗУ SRAM – выполнено на 4-х микросхемах CY7C148 – 45 фирмы CYPRESS, с организацией 1Kx4. ПЗУ Flash – на одной микросхеме AT49F516 – 70 фирмы ATMEL, с организацией 32Kx16.

В состав памяти также входит : К1533ИД7 – дешифратор-демультиплескор 3 на 8. Используемый для активизации нужного типа памяти (ОЗУ или ПЗУ).

Карта памяти

0000

0001

. SRAM

3FFF

4000

4001

. Flash

4FFF

6.2 Структурная схема памяти

6.3 Описание работы памяти

Доступ к памяти осуществляется битом микрокоманды ME, а выбор типа памяти 11-тым битом из адресной шины (логический “0” - ОЗУ, “1” – ПЗУ). Запись и чтение из ОЗУ, битом MK[WE], L-уровень запись/H-уровень чтение из памяти, по адресу выставленном на адресных входах. Для ПЗУ, бит микрокоманды MK[OE] разрешает вывод данных, MK[WE] разрешает запись.

Временная диаграмма чтения SRAM