. (5.20)
Углом отсечки q определяются все основные параметры детектора.
Емкость Сн выбирают так, чтобы детектирование происходило без частотных искажений. В этом случае, если Um=Um0(1+mcosWt), напряжение на выходе согласно (5.14) можно найти как Uн=Um0cosq(1+mcosWt). Амплитуда переменной слагающей выходного напряжения UW=mUm0cosq.
Следовательно, коэффициент передачи детектора (см. § 5.1)
. (5.21)
Амплитуду первой гармоники входного тока найдем, представив (5.16) рядом Фурье:
(5.22)
Отсюда входная проводимость детектора
(5.23)
При малых q, используя разложение sina»a-a3/6 и учитывая (5.19), из (5.23) получим
(5.24)
При малых q (cosq»l) соотношение (5.24) можно получить исходя из того, что практически вся мощность сигнала, подводимая к детектору, выделяется на сопротивлении нагрузки (Pвx»Pн), поэтому
(5.25)
Согласно (5.14) ; при Uн»Um и (5.25) приводит к (5.24)
У параллельного диодного детектора (рисунок 5.2,б) входная проводимость равна сумме проводимостей нагрузки и диода (5.23) и (5.24):
(5.26)
т. е. больше, чем у последовательного детектора.
При использовании германиевых диодов не всегда можно пренебречь обратным током. Его влияние приводит к появлению у диода конечной обратной проводимости 1/Rобр=Sобр (рисунок 5.10), которая изменяет эквивалентное сопротивление нагрузки и входную проводимость. Эквивалентная нагрузка по постоянному току такого детектора
(5.27)
При
Рисунок 5.10 Рисунок 5.11
Входную проводимость найдем при cosq»l исходя из равенства мощностей на входе и выходе детектора Pвx»Рн+Pобр;
(5.28)
При cosq»1 Uн»Um, поэтому из (5.28) с учетом (5.27)
(5.29)
Обратная проводимость диода увеличивает входную проводимость детектора. При
Как отмечалось, детекторная характеристика при сильных сигналах близка к линейной. Искажения малы, если амплитуда сигнала не падает ниже некоторого значения U'm, обычно U'm=0,05...0,1 В, следовательно, чтобы не было нелинейных искажений, обусловленных уменьшением амплитуды входного сигнала при больших коэффициентах амплитудной модуляции, требуется выполнить условие Um0(1—m)³U'm или Umo³U'm(1—т)-1. Например, при т=0,9 амплитуда несущей Um0 должна превышать 0,5...1 В. Однако нелинейные искажения могут возникнуть и при сильных сигналах вследствие инерционности нагрузки детектора и различия сопротивлений нагрузки постоянному и переменному току.
Влияние инерционности нагрузки поясняется рисунком 5.11. При положительной полуволне входного напряжения диод открывается и конденсатор Сн заряжается через его малое сопротивление (рисунок 5.2,а). Напряжение на конденсаторе быстро нарастает, приводя к запиранию диода. После этого происходит разряд Сн через Rн. Постоянная времени разряда СнRн велика, и напряжение убывает медленнее, чем оно нарастало. До момента времени t1 напряжение на нагрузке воспроизводит форму огибающей входного сигнала. Если постоянная времени разряда слишком велика, то с момента t1 (точка A) амплитуда входного сигнала уменьшится, а напряжение Uн не успевает отслеживать это уменьшение огибающей, т. е. возникают искажения. На интервале от t1 до t2 происходит разряд Сн по закону
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.