Rб2: С2-23-0,125-3,3 кОм ±10%,
Cр1: К50–6–20 В-5 мкФ ±10%,
Cр2: К50–6–50 В-5 мкФ ±10%,
Rе: С2-23 -0,125-430 Ом ±10% ,
Cе: К50–6–15 В-150 мкФ ±10%,
Rн: С2-23 -0,125-2,4 кОм ±10%,
CК: К10–17–15 В-12 нФ ±10%,
RК: С2-23 -0,125-100 Ом ±10% .
2.2 Розрахунок каскаду попереднього підсилення
Схема каскаду попереднього підсилення майже аналогічна схемі каскаду кінцевого підсилення і представлена на рисунку 2.2
Вихідні дані:
Коефіцієнт підсилення по потужності Кр(дБ) = 38,3 дБ,
Частотні спотворення каскаду Мн= 1,1 дБ; Мв = 0,2 дБ,
Верхня і нижня частота діапазону Fн =50 Гц, Fв = 6 МГц,
Коефіцієнт нелінійності КН = 0,2 %,
Напруга живлення Еж=15 В.
Рисунок 2.2 – Схема попереднього каскаду підсилення
Величина струму спокою колекторного струму знаходиться з виразу
, (2.2.1)
(А).
Вибираємо Ік0 = 8 мА з метою отримання більшого коефіцієнта підсилення та можливістю задатися робочою точкою. Тоді отримаємо Іб0=0,1мА, Uке=6 В, Uбе=0,63 В (з ВАХ транзистора наведеної в додатку Д)
Струм подільника
Іпод=10Іб; (2.2.2)
Іпод=1 (мА).
Обчислимо опір емітера та шунтуючу ємність
(2.2.3)
де - опір в колі емітера
,
(2.2.4)
де - ємність в колі емітера
Знайдемо напругу на емітері аналогічно як для ККП:
=0,115=1,5 (В)
Опір колекторного навантаження буде наступний
(2.2.4)
(2.2.5)
Визначаємо струм подільника , величину опорів Rб1 і Rб2, вхідний опір каскаду
Іпод = ( 3…10 ) Іб0, (2.2.6)
Іпод = 10∙0,1=1(мА),
(2.2.7)
,
(2.2.8)
,
(2.2.9)
,
, (2.2.10)
Розрахунок величини ємності розділового конденсатора
, (2.2.11)
Коефіцієнт підсилення по напрузі
Ku = 0.7 h21e , (2.2.12)
, (2.2.13)
,
Ku = 0.7∙80=56 (раз )=35 (дБ).
Коефіцієнт підсилення по потужності
Kр = , (2.2.13)
Kр = .
Для резисторів визначимо їхню потужність, аналогічно до ККП:
РRб1 = U Rб1 ∙ Iпод, (2.2.14)
РRб1 = 12.3 ∙ 1 ∙ 10-3 = 12.3 (мВт),
Р Rб2 = U Rб2 ∙ Iпод, (2.2.15)
Р Rб2 = 2.7 ∙ 1 ∙ 10-3 = 2,7 (мВт),
Р Rн = U Rн ∙ Iк, (2.2.16)
Р Rн = 14,8 ∙ 5,3 ∙ 10-3 = 78,4 (мВт),
Р Rе = U Rе ∙ ( Iк+Іб ), (2.2.17)
Р Rе = 1.5 ∙ (5,3+0,1) ∙10-3 = 8,1 (мВт).
З ряду Е12 вибираємо реальні елементи
Rб1: С2-23 -0,125-12 кОм ±10%,
Rб2 : С2-23-0,125-2,2 кОм ±10%,
Rн : С2-23-0,125-1кОм ±10%,
Cр : К50-6-5 В-5 мкФ ±10%,
Rе : С2-23-0,125-180Ом ±10%,
Cе : К50-6-5 В-300 мкФ ±10%.
2.3 Розрахунок регулятора підсилення
Схема регулятора підсилення зображена на рисунку 2.3
Рисунок 2.3. Схема регулятора підсилення.
Дані для розрахунку:
глибина регулювання підсилення 48дБ ( або 250раз ).
R1 приймається рівним R1 = 6,8 кОм.
Тоді для забезпечення заданої у ТЗ глибини регулювання гучності 48дБ або 250 раз опір змінного резистора R2 обиратимемо:
R2= R1/(Кд – 1) = 6800/ (250-1) = 27 (Ом)
За розрахованими значеннями резисторів вибираються згідно Е24 рядів номінали резисторів.
R1: СП3-6,8кОм ±5%,
R2: С2-23-0,125-27 Ом ±5%.
2.4 Розрахунок схеми узгоджуючого каскаду
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.