Коефіцієнт підсилення по потужності такого каскаду може бути розрахований по формулі
, (1.5.3)
Для включення польового транзистора по схемі СВ KU може бути розрахований по формулі
, (1.5.4)
де - опір навантаження змінному струму, вибирається в залежності від вхідного опору наступного каскаду, при низькоомному вході наступного
каскаду (наприклад, схема зі спільним емітером) не більше 200...500 Ом;
S - середнє значення крутості уніполярного транзистора; Rвх - вхідний опір каскада на уніполярному транзисторі, вибирається в межах 200. .500 кОм ;
Rвих - вихідний опір, приблизно .
Підставивши дані отримаємо
. (1.5.5)
Кр.заг ( дБ ) розр = 22.73+38,29+6=67.02 (дБ) > Кр(заг). =42.22 дБ.
Так як виконується вище наведена умова, то можна перейти до слідуючих розрахунків.
1.6 Розрахунок співвідношення сигнал/шум
При визначенні співвідношення сигнал/шум підсилювального пристрою розраховують напругу шуму лише першого каскаду. Рівень шуму першого каскаду визначає мінімальний рівень вхідного сигналу при заданому співвідношенні сигнал/шум на вході. Для вхідного каскада на польовому транзисторі величина напруги шума визначається за формулою (1.7.1)
(1.6.1)
де напруга шуму, зумовлена тепловим шумом в опорі вхідного кола, напруга шуму, зумовлена тепловими шумами в польовому транзисторі
, (1.6.2)
де - величина рівна опору джерела R=RДЖ =5000(Ом); - смуга робочих частот пристрою.
ΔF = Fв – Fн , (1.6.3)
де Fв – верхня робоча частота смуги пропускання підсилювача;
Fн – нижня робоча частота смуги пропускання підсилювача.
Підставивши дані отримаємо
ΔF = 6000000 – 50 = 5999950 (Гц),
.
Напруга шуму, зумовлена тепловими шумами в польовому транзисторі визначається
, (1.6.4)
де - шумовий опір струмопровідного каналу
, (1.6.5)
,
,
Загальна напруга шуму
.
Відношення сигнал/шум визначається по формулі
(1.6.6)
де Uсигн – амплітуда вхідного сигналу.
.
Отримане відношення перевищує величину задану в ТЗ (40дБ). Отже транзистор першого каскаду обрано вірно.
1.7 Розподіл частотних і нелінійних спотворень
Розподіл частотних спотворень по каскадах виконується окремо для області високих і низьких частот.
Частотні спотворення в області високих частот зумовлені декількома складовими.
Частотні спотворення МВ.Т, що визначаються впливом транзистора:
- для каскаду з спільним емітером [5]
, (1.7.1)
де Fв – верхня частота робочого діапазону пристрою;
fY21e – гранична частота транзистора по крутості в схемі з спільним емітером;
Для ККП ( раз ) = 0 (дБ).
Для КПП ( раз ) =0 (дБ).
Частотні спотворення Мв.сх. , що вносяться елементами схеми каскаду для резистивного каскаду з спільним емітером
Мв.сх = 0,2 . . .0,3 дБ.
Загальні частотні спотворення в області верхніх частот КПП
Мв кпп = Мв.т.+ Мв.сх = 0 + 0,2 = 0,2 (дБ). (1.7.2)
Загальні частотні спотворення в області верхніх частот ККП
Мв ккп = Мв.т.+ Мв.сх , (1.7.3)
Мв ккп =0 + 0,2 = 0,2 (дБ).
Загальні частотні спотворення в області верхніх частот
Мв = Мв кпп + Мв ккп , (1.7.4)
Мв =0,2 + 0,2 = 0.4 дБ < Мв тз=1.8 дБ.
Дані спотворення менші ніж в ТЗ.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.