Разработка аналоговой части проектируемых устройств, страница 13

* Двухплощадочный фотодиод.   

        ** Четырехплощадочный фотодиод

Фоторезисторы. Работа фоторезистора основана на эффекте фотопроводимости. При отсутствии облучения через прибор протекает небольшой (темновой) ток, обусловленный начальным (темновым) сопротивлением. При облучении лучистым потоком F ток через фоторезистор увеличивается пропорционально ~ F^1/2. Фоторезисторы  уступают фотодиодам по быстродействию (τ >10^-4 с), однако благодаря высокой чувствительности и невысокой стоимости они широко используются в средствах автоматизации. Наибольшее применение получили фоторезисторы на основе сульфида кадмия CdS и селенида кадмия CdSе. Первые имеют спектральный диапазон чувствительности от 0.3 до 0.9 мкм, перекрывая таким образом  видимую часть длин волн. Максимум спектральной чувствительности вторых соответствует длине волны излучения  светодиодов  и  лазерных  диодов  на  основе  GaAs  (от  0.6  до 0.9 мкм). В табл. 2.5 приведены некоторые сведения об отечественных фоторезисторах на основе CdS и CdSе (последние отмечены знаком *).

                                                                                                Таблица 2.5