- интегральных диодов, образованных структурой (база+коллектор) – эмиттер.
1. Открыть программу «Electronica Workbench 5-12», выбрать опцию «Open», зайти в директорию Гот L Mi/2Диод/, затем, по указанию преподавателя, открыть одну из схем для снятия вольт-амперных характеристик.
2. Перед запуском моделирования схемы заготовить таблицу для снятия прямой и обратной ветви вольт-амперной характеристики и зарисовать схемы в отчёт.
3.
Кнопкой 
запустить моделирование схемы.
4. Снять прямую ветвь вольтамперной характеристики, используя схему с источником тока, меняя ток в пределах 0-10 мА, и обратную ветвь вольт-амперной характеристики, используя схему с источником напряжения, меняя напряжение в пределах 0-10 В. Повторить измерения для температур 50 и 75 0С.
Двойным нажатием мыши на транзисторе открыть окно параметров; в меню «Analysis setup» установить нужное значение температуры.
Изменение токов и напряжений производится двойным нажатием мыши на источнике тока или напряжения, при этом открывается окно параметров. В меню «Value» в строке CURRENT (VOLTAGE) установить выбранные значения тока или напряжения.
5. В меню «File» выбрать опцию «Open», зайти в директорию Lab Mi\Диоды\ и для соответствующего диодного включения транзистора открыть схему для импульсных измерений \ imp. Ewb\.
6. Зарисовать схему в отчёт.
7. Исследовать работу диода на синусоидальном напряжении, определив предельную рабочую частоту (при которой исчезает эффект выпрямления) при различных значениях паразитной ёмкости (Спар= 0.1; 0.5; 1, 2 пФ и др. по указанию преподавателя).
Двойным нажатием мыши на резисторе (паразитной емкости) открыть окно параметров; в меню «Value» в строке Resistance (Capacitance) установить нужное значение ёмкости.
Частота
задаётся в окне генератора (Function Generator) в строке 
.
8. Зарисовать осциллограммы тока и напряжения для предельной частоты и для нормального режима работы диода.
9. Выполнить пункты 2-9 для диодов БК-Э и Б-Э (по указанию преподавателя).
10. Построить три семейства вольт-амперных характеристик для трёх вариантов диодного включения транзисторов при температуре 27, 50 и 75 градусов.
11. Дать объяснения полученным результатам.
Контрольные вопросы к работе № 2.
1. Структура интегрального диода. Основные свойства и характеристики.
2. Способы диодного включения интегральной транзисторной структуры.
3. Какой из вариантов диодного включения транзисторов и почему обладает минимальным рабочим напряжением?
4. Какой из вариантов диодного включения транзисторов и почему обладает максимальным рабочим напряжением?
5. Какой из вариантов диодного включения транзисторов и почему обладает лучшими высокочастотными свойствами?
6. Какой из вариантов диодного включения транзисторов и почему обладает худшими высокочастотными свойствами?
7. Какой из вариантов диодного включения транзисторов и почему обладает наиболее высоким быстродействием?
8. Какой из вариантов диодного включения транзисторов и почему обладает самым низким быстродействием?
9. Параметры какого из вариантов диодного включения транзисторов и почему в меньшей степени зависят от температуры?
10. У какого диодного включения транзисторов и почему наблюдается самая высокая зависимость параметров от температуры?
11. Интегральные стабилитроны. Принцип действия, характеристики, области применения.
Библиографический список
1. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники, 2000, С.244. 1980, С. 217.
2. Аваев Н.А. и др. Микроэлектроника, 1990, С. 69.
3. Методические указания к лабораторным работам № 3351 и 3693.
Лабораторная работа № 3
Исследование характеристик инвертора на биполярных интегральных транзисторах
Программа выполнения лабораторной работы
Заготовка отчёта должна содержать схему инвертора на биполярном транзисторе с резистивной нагрузкой и временные диаграммы переходных процессов включения и выключения ключа.
1. Открыть программу «Electronica Workbench 5-12», выбрать опцию «Open», на диске d открыть Lab ewb, открыть папку 3.Бип. выбрав схему для снятия передаточной характеристики Per.Xap.
2. Перед запуском моделирования скопировать схему в отчет и заготовить таблицу для снятия зависимости выходного напряжения (Uвых) от напряжения на входе (Uвх).
3. Снять передаточную характеристику; определить логический перепад и зону неопределенности порогового напряжения.
3.1. Двойным нажатием мыши на источнике входного напряжения в меню “Voltage”(V) изменять Uвх .
3.2.
Кнопкой запустить моделирование схемы и с
помощью прибора «Multimetra» снять значения Uвых для каждого значения Uвх,
результаты занести в таблицу.
4. В меню «File» выбрать опцию «Open», открыть файл Invertor. Схему скопировать в отчет.
5. Получить осциллограммы входного и выходного напряжений ключа:
а) переключить «Function Generator» в импульсный режим и измерить длительности фронта и спада выходных импульсов;
б) с помощью длительности развёртки подобрать такое время, при котором будет хорошо видно время фронта (tф) и спада (tс) выходного импульса.
В окнах осциллографа 
можно изменить
длительность развертки с возможностью установки смещения в тех же единицах по
горизонтали (X POS) и отрегулировать чувствительность в В/дел(V/div) и смещение
по вертикали (Y POS).
в) вертикальные визирные линии за треугольные «уши» в нужное место, что обеспечит в индикаторных окошках под экраном результаты измерения временных интервалов и напряжений;
г) измерить время фронта(tф) и спада(tс) выходного импульса;
д) зарисовать временные диаграммы в отчет, обозначив на них время фронта(tф) и спада(tс).
6. Получить у преподавателя другой номинал сопротивления нагрузки и выполнить пункт № 5.
7. В меню «File» выбрать опцию «Open», открыть файл Uskor C. Схему скопировать в отчет.
8. Выполнить действия, указанные в пунктах 5 и 6.
9. Подобрать величину ускоряющей ёмкости, при которой время фронта уменьшится в два раза.
10. В меню «File» выбрать опцию «Open», открыть файл diod. sh. Схему скопировать в отчет.
11. Выполнить действия указанные в пунктах 5 и 6.
12. Провести сравнительную оценку результатов.
Контрольные вопросы к работе № 3
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.