Министерство образования Республики Беларусь
ГОМЕЛЬСКИЙ ГОСУДАСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
им. П.О.СУХОГО
наименование факультета _______АИС__________________
"УТВЕРЖДАЮ"
зав. кафедрой _____________
"______" _____________2002 г.
З А Д А Н И Е
по курсовому проектированию
Студенту Ильину Е. В. ПЭ- 21
1. Тема проекта Однокаскадный усилитель на биполярном транзисторе в схеме включения
с общим эмиттером. Фиксированный ток базы, мостовой выпрямитель________________
2. Сроки сдачи студентом законченного проекта май-2002__________________________
3. Исходные данные к проекту._________________________________________________ _____
_________________Uнm=8.7В.__________________________________________________ ______
_________________Rн=190Ом.________________________________________________ ______
Rк=1900 Ом._________________________________________________ ______
RГ=240 Ом__________________________________________________ ______
fн=45 Гц__________________________________________________________
4. Содержание расчетно-пояснительной записки________________________________________
1. Определить координаты [Uок; Iок], Ек. Построить линии нагрузки. Выбрать транзстор__
2. Определить [Uоб; Iоб] и элементы, обеспечивающие режим покоя._ ________________
3. Графоаналитический расчет параметров усилителя _________________________________
4. Определить h-параметры. Рассчитать физические параметры ОБ и ОЭ.________________
5. Определить параметры усилителя Rвх, Кu, Кi через h-параметры.______________________
6. Рассчитать емкости разделительных конденсаторов _________________________________
7. Рассчитать параметрический стабилизатор напряжения Ек.__________________________
8. Рассчитать выпрямитель и фильтр, задаваясь Кн= Кн =0.1.___________ ________________
9. Построить временные диаграммы сигналов (частота 1кГц)____________________________
а) Ег(t), Uвх(t), Uб(t), Uэ(t); б) Iб(t), Iг(t); в) Iк(t), Iн(t), Iпит(t);_____________________
в) Uб(t), Uэ(t), Uк(t), Uн(t), Ек; д) U2(t), Uв(t), Uст(t)=Ек(t)._____________________________
10.Рассчитать мощности Рн, Рпит=ЕкIок, Рв=UвIв, КПД hус, hпит._____________________
11. Начертить схему электрическую принципиальную устройства_________________________
5. Перечень графического материала. __________________________________________________
Линии нагрузки, статические ВАХ транзистора, временные диаграммы сигналов,____ ________
схема электрическая принципиальая устройства.______________________________________
___________________________________________________________________________________
6. Консультанты по проекту (с указанием разделов проектов).______________________________
______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
7. Календарный график работы над проектом на весь период проектирования _______________
__________________________________________________________________________________
Руководитель ______________
Задание принял к исполнению.
___________________________________________ (дата и подпись студента)
1 Усилитель напряжения класса А на биполярном транзисторе в схеме включения с общим эмиттером.
N =8- номер варианта, r =3 - схема фиксированный ток базы.
Uнm=8.7 B - амплитуда напряжения на нагрузке;
Rн=1900 Оm - сопротивление нагрузки;
Rк=1900 Оm - сопротивление коллекторного резистора;
Rг=240 Om - сопротивление генератора (источника гармонического сигнала);
|
|
Fн=45 Гц - низшая частота сигнала.
Фиксированный ток базы
2 Параметрический стабилизатор напряжния.
 |
1 Определить координаты точки покоя 0 [Uок; Iок], напряжение питания Ек. Построить статическую и динамическую линии нагрузки. Определить требования к транзистору по предельным параметрам и ВАХ. Выбрать транзистор.
Рассчитываем токи
Амплитуда тока нагрузки 
Амплитуда тока резистора Rk 
Амплитуда тока коллектора 
Проверка для исключения дебютной ошибки:
Определяем эквивалентное сопротивление в цепи коллектора для переменной составляющей Iк Rкн=Rк êêRн = (RкRн)/(Rк+Rн) и амплитуду тока коллектора Iкm=Uкm/Rкн.
Сопротивление на переменном токе 
Амплитуда тока коллектора 
Ток покоя выбирают из условия Iок>Iкm или Iок=Iкm+DI, где DI=1¸3 мA -минимальный ток коллектора.
Ток покоя коллектора Iok = Iкm +DI = 12 +2= 14 mA.
Напряжение покоя для исключения режима насыщения определяем из условия Uокэ>Uкm или Uокэ=Uкm+DU, где DU=2¸3 В -минимальное напряжение.
Напряжение покоя коллектор-эмиттер Uокэ=Uкm+DU= 3+1= 4 В.
Определяем напряжение питания:
Ек = Uокэ + Iок Rк =4 + 0.014 ·620 = 12.68 » 13 В.
Статическая линия нагрузки (СЛН) проходит через точки с координатами [Uкэ=Ек;Iк=0], [Uокэ ; Iок] и [Uкэ=0; Iк=Ек/Rк=13/620=21 мА].
Напряжение UА – точка динамической нагрузки, прямая которая проходит через [Uокэ ; Iок]
UА=Uокэ+IокRкн= 4 + 0.014 · 250 = 7.5В.
Динамическая линия нагрузки (ДЛН) проходит через точки с координатами [Uкэ=UA;Iк=0], [Uокэ ; Iок] и [Uкэ=0; Iк=UA/Rкн=7.5/250= 3 мА].
После построения линий нагрузки определяют предельные параметры транзистора:
Iк макс > UA/Rкн или Iк макс > Iок +Iкm, Uкэмакс > Ек, Ркмакс > Iок×Uокэ.
По расчитанным данным подбираем транзистор по справочнику[1].
Транзистор подбирается по следующему принципу:
Iк max>Iок + Iкм= 14 + 12 =26 мА
Uкэ max>Ек=13 В
Pк max> Uокэ × Iок= 14 × 4 = 56 мВт
Расчитанным данным удовлетворяет транзистор КТ312А (основные параметры которого см. Приложение А).
Построим статическую и динамическую линии нагрузки на отдельном листе, предварительно перенеся входные и выходные характеристики выбранного транзистора.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.
