Исследование спектральной зависимости фоточувствительности полупроводников (С, М), страница 5

Сдвиг края поглощения в длинноволновую сторону может быть обусловлен внутренними электрическими полями в кристалле, деформацией решетки, вызванной напряжениями из-за присутствия дефектов, наконец, неупругим рассеянием заряженных носителей на фононах.

      Кроме того, любой монохроматор всегда вырезает некоторый интервал длин волн , зависящий от разрешающей способности прибора. Поэтому сам спектральный прибор обуславливает некоторое размытие длинноволновой границы.

      Из сказанного следует, что необходимо условиться о целесообразном выборе . Этот выбор можно производить различными способами, Наиболее удачным оказался критерий Мосса: за  принимается такая длина волны , при которой значение фоточувствительности уменьшается вдвое по сравнению со значениями в максимуме (рис.1). Значения  и , определённые по  и , хорошо согласуются со значениями этих величин, определенными другими методами.

      В коротковолновой области собственной ФП существенное влияние на форму спектральной кривой оказывает наличие процесса поверхностной рекомбинации. Качественно это можно пояснить следующим образом. Увеличение коэффициента поглощения приводит к тому, что уменьшается толщина слоя полупроводника, где происходит генерация носителей, и он прижимается к поверхности. В результате относительно увеличивается концентрация носителей вблизи поверхности, где из-за влияния поверхностной рекомбинации эффективное время жизни носителей меньше. Поэтому с увеличением энергии фотона фотопроводимость убывает (рис, 2). Очевидно, что чем больше скорость поверхностной рекомбинации, тем сильнее будет спад и ярче выражен максимум на спектральной кривой.

Спектральная зависимость ФП в примесной области обычно достаточно хорошо совпадает с кривыми поглощения .