Исследование спектральной зависимости фоточувствительности полупроводников (С, М), страница 4

            Схема возбуждения собственной и примесной ФП и типичное спектральное распределение ФП полупроводника с фотоактивной примесью показаны на рис. 1.

            Длинноволновый спад фоточувствительности обусловлен тем, что энергия фотонов становится недостаточной для образования свободных носителей, т. е. уменьшением коэффициента поглощения. Граничная длина волны, при которой возникает ФП, определяется соотношением

                              для собственной ФП

                                для примесной ФП.

                                                        

                                                            

                                                                                    

         Собственная ФП                                                        Примесная ФП

Рис. 1. Схема возбуждения собственной и примесной ФП и типичное спектральное                          распределение ФП

     Таким образом, исследование спектральной зависимости ФП позволяет определить параметры энергетической структуры полупроводника  и .

      Однако в действительности ФП наблюдается и при длинах волн, несколько больших . Это обусловлено несколькими причинами.

      Учет электрон-электронного рассеяния и кулоновского взаимодействия приводит к существенным изменениям функции плотности состояний на границах зон, которые соответствуют образованию "хвостов" плотности состояний с экспоненциальным убыванием плотности конечных состояний в глубь запрещенной зоны. Оптические переходы между параболической частью одной зоны и "хвостом" другой приводят к сдвигу края основного поглощения в длинноволновую сторону.