Исследование спектральной зависимости фоточувствительности полупроводников (С, М), страница 10

4.   Почему считают, что подвижность неравновесных носителей такая же, как и у равновесных?

5.   Как фотопроводимость зависит от интенсивности освещения?

6.   Что такое фоточувствительность и зачем вводится это понятие?

7.   Как выглядит спектральная зависимость фотопроводимости? Чем, объясняется длинноволновый и коротковолновый спад фотопроводимости?

8.   Какие энергетические параметры полупроводника можно определить из спектральной зависимости фотопроводимости?

9.   В чем состоит критерий Мосса и чем обусловлена необходимость его введения?

10. Каков механизм образования фотоэдс и тока короткого замыкания, при освещении p-n-перехода?

11. Как зависят от интенсивности освещения фотоэдс и ток короткого замыкания?

12. Какую величину нужно измерить, чтобы получить спектральную чувствительность фотодиода, и почему?

13. Может ли наблюдаться фотоэдс в примесной области поглощения?

14. Схема измерения фотопроводимости.

15. Какой элемент схемы делает измеряемый сигнал переменным, и с какой целью это делается?

16. Режим постоянного тока, постоянного поля и постоянной чувствительности. Какой из этих режимов и почему используется в данной работе?

17. В каком режиме производится исследованиечувствительности фотодиода и как его реализовать?

                                             Рис. 4. Измерительная схема

ЗАДАНИЕ

1. В режиме постоянного поля снять спектральную зависимость проводимости предложенных образцов.

2. Измерить зависимость фотопроводимости  от  интенсивности освещения L для тех же образцов.

3. Построить зависимость (L) в двойных логарифмических координатах и определить показатель а в зависимости .

4. В зависимости от результатов, полученных в п. 3, рассчитать S() или S*() и построить графики.