4. Почему считают, что подвижность неравновесных носителей такая же, как и у равновесных?
5. Как фотопроводимость зависит от интенсивности освещения?
6. Что такое фоточувствительность и зачем вводится это понятие?
7. Как выглядит спектральная зависимость фотопроводимости? Чем, объясняется длинноволновый и коротковолновый спад фотопроводимости?
8. Какие энергетические параметры полупроводника можно определить из спектральной зависимости фотопроводимости?
9. В чем состоит критерий Мосса и чем обусловлена необходимость его введения?
10. Каков механизм образования фотоэдс и тока короткого замыкания, при освещении p-n-перехода?
11. Как зависят от интенсивности освещения фотоэдс и ток короткого замыкания?
12. Какую величину нужно измерить, чтобы получить спектральную чувствительность фотодиода, и почему?
13. Может ли наблюдаться фотоэдс в примесной области поглощения?
14. Схема измерения фотопроводимости.
15. Какой элемент схемы делает измеряемый сигнал переменным, и с какой целью это делается?
16. Режим постоянного тока, постоянного поля и постоянной чувствительности. Какой из этих режимов и почему используется в данной работе?
17. В каком режиме производится исследованиечувствительности фотодиода и как его реализовать?
Рис. 4. Измерительная схема
ЗАДАНИЕ
1. В режиме постоянного поля снять спектральную зависимость проводимости предложенных образцов.
2. Измерить зависимость фотопроводимости 
от интенсивности освещения L для тех же образцов.
3. Построить зависимость (L) в двойных логарифмических координатах и определить
показатель а в зависимости 
.
4. В зависимости от результатов, полученных в п. 3,
рассчитать S(
) или S*() и построить графики.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.