Еш.УЭ1 – приведенное ко входу действующее значение ЭДС шумов первого УЭ.
Как видно из (1.23), суммирование ЭДС теплового шума источника сигнала Еш.т.ист и приведенной ко входу ЭДС шумов первого УЭ производится по квадратичному закону. Это обусловлено тем, что тепловые шумы источника сигнала и приведенные ко входу шумы первого УЭ статистически независимы и их суммирование ведется по мощностям.
Именно ЭДС Еш.вх.ц, усиливаясь всеми каскадами усилителя и определяет в основном напряжение собственных помех на выходе усилителя Uп.вых=Еш.вх.цК*, и, следовательно, допустимые минимальные значения напряжений сигнала на выходе Uвых.мин и входе Uвх.мин усилителя и допустимое минимальное значение ЭДС источника сигнала Еист.мин.
В транзисторных усилителях, в том числе в интегральном исполнении, зная ЭДС тепловых шумов источника сигнала Еш.т.ист (1.22) и коэффициент шума первого транзистора Кш.УЭ1, можно сразу , без вычисления приведенной ко входу ЭДС шумов этого транзистора Еш.УЭ1 , найти результирующую шумовую ЭДС на входе усилителя Еш.вх.ц по выражению:
. (1.24)
Это выражение вытекает из определения коэффициента шума транзистора, приведенного выше при рассмотрении шумов УЭ. Для лучшего понимания выражения (1.24) можно привести еще два известных определения коэффициента шума транзистора:
1. Коэффициент шума транзистора показывает, во сколько раз мощность шумов на выходе реального транзистора превышает мощность шумов на выходе такого же, с такими же параметрами, но не шумящего (идеального) транзистора:
. (1.25)
2. Коэффициент шума транзистора Кш показывает, во сколько раз ухудшается отношение мощности сигнала к мощности шума в выходной цепи транзистора по сравнению с тем же отношением у ненагруженного источника сигнала:
, (1.26)
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.